渡邉 則之 | 日本電信電話株式会社
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概要
関連著者
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社
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小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小田 康裕
日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所
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小田 康裕
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話
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栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小林 隆
NTTフォトニクス研究所
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渡邊 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
著作論文
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- C-doped GaAsSb におけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CS-6-2 アンチモン系材料によるHBT作製の課題(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- 40Gbit/sInP HBT IC実現のためのデバイス技術
- 40Gbit/s InP HBT IC実現のためのデバイス技術
- InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1 : 16DEMUXおよびCDR/1 : 4DEMUX