杉山 弘樹 | 日本電信電話
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概要
関連著者
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杉山 弘樹
日本電信電話
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杉山 弘樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
Nttフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話
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小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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松崎 秀昭
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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松崎 秀昭
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話株式会社
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社
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小田 康裕
日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所
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小田 康裕
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小林 隆
NTTフォトニクス研究所
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佐藤 理夫
日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所
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渡邉 則之
NTTアドバンステクノロジ株式会社
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内田 昌宏
NTTアドバンステクノロジ株式会社
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大坂 次郎
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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大坂 次郎
名古屋大学工学部
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内田 昌宏
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:nttアドバンステクノロジ株式会社
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社
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井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
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佐藤 理夫
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社
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星 拓也
日本電信電話
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井田 実
日本電信電話
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栗島 賢二
日本電信電話
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小杉 敏彦
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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高橋 亮
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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中原 達志
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
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浦田 涼平
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
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石川 裕士
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
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高橋 亮
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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濱田 裕史
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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野坂 秀之
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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鈴木 左文
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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寺西 豊志
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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竹ノ内 弘和
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
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大木 明
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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瀬川 徹
Nttフォトニクス研究所
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瀬川 徹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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野坂 秀之
Nttワイヤレスシステム研究所
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中島 裕樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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須崎 泰正
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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馬渡 宏泰
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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西原 晋
日本電信電話(株) NTTアクセスサービスシステム研究所
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馬渡 宏泰
NTTフォトニクス研究所
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中島 裕樹
NTTフォトニクス研究所
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Asada Masahiro
The Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Te
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大木 明
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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須崎 泰正
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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須崎 泰正
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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井田 実
日本電信電話(株)nttフォトニクス研
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瀬川 徹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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西原 晋
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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西原 晋
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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佐藤 宏
日産自動車
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中原 達誌
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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静野 薫
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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中原 達志
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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Takenouchi Hirokazu
Ntt Photonics Labs. Ntt Corporation
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馬渡 宏泰
Ntt フォトニクス研
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佐藤 宏
日産自動車株式会社総合研究所
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中村 光範
日産自動車株式会社総合研究所
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クライソン トロンナムチャイ
日産自動車株式会社総合研究所
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浅田 雅洋
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
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鈴木 左文
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
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竹ノ内 弘和
日本電信電話株フォトニクス研究所
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大木 明
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
著作論文
- C-10-15 歪系In_Al_P/In_Ga_As HEMTにおける短チャネル効果の抑制(C-10.電子デバイス)
- C-doped GaAsSb におけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- MOCVDを用いた歪み系In_Ga_As/AlAs RTDの高性能化
- C-10-3 超高速ディジタル回路用共鳴トンネルダイオード特性
- B-12-21 Low-Power, Low-Latency ,4x4 Optical Packet Switching of Asynchronous Optical Packets with a 4x4 Label Processing and Switching Sub-System
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- MOCVDを用いた歪み系In_Ga_As/AlAs RTDの高性能化
- C-3-36 差動型光クロックトランジスタアレイを用いたパラレルシリアル変換回路(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-2-98 140GHz帯ミリ波イメージング装置の冬季屋外試験(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置,一般セッション)
- MOCVD成長CドープInGaAsSbベース低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- C-10-8 F帯フルカバースペクトル分析に向けたMMICミキサ回路(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- F帯全帯域動作MMICミキサの設計法(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般)