横山 春喜 | 日本電信電話株式会社
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概要
関連著者
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横山 春喜
日本電信電話株式会社
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横山 春喜
日本電信電話
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横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
日本電信電話株式会社
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重川 直輝
Ntt フォトニクス研
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横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
-
小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
重川 直輝
大阪市立大学大学院工学研究科
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小田 康裕
日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所
-
廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小田 康裕
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社
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村本 好史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
Nttフォトニクス研究所
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小林 隆
NTTフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
村本 好文
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
日本電信電話
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村本 好史
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
児玉 聡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村本 好史
Nttフォトニクス研究所
-
塩島 謙次
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
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児玉 聡
Ntt フォトニクス研
-
村本 好史
Ntt フォトニクス研
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末光 哲也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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八木 拓真
NTTアドバンステクノロジ株式会社
-
末光 哲也
Ntt フォトニクス研
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名田 允洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
名田 允洋
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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西村 一巳
日本電信電話(株)フォトニクス研究所
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宝川 幸司
神奈川工科大工学部
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内田 昌宏
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:nttアドバンステクノロジ株式会社
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
宝川 幸司
神工大工学部
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宝川 幸司
神奈川工科大学工学部
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Hohkawa Kohji
Department Of Electronic & Electrical Engineering Kanagawa Institute Of Technology
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横山 春喜
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
西村 一巳
Nttフォトニクス研究所
-
重川 直輝
Nttフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社
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西村 一巳
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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松崎 秀昭
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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佐藤 理夫
日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所
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渡邉 則之
NTTアドバンステクノロジ株式会社
-
内田 昌宏
NTTアドバンステクノロジ株式会社
-
小杉 敏彦
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
佐藤 理夫
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
松崎 秀昭
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
-
小杉 敏彦
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
-
吉松 俊英
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石橋 忠夫
NTTエレクトロニクス株式会社
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吉松 俊英
Ntt未来ねっと研究所日本電信電話株式会社
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吉松 俊英
Nttフォトニクス研究所
-
吉松 俊英
日本電信電話株式会社nttフォトにクス研究所
-
石橋 忠夫
Nttエレクトロニクス
-
栗島 賢二
日本電信電話
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吉松 俊英
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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鈴木 左文
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
寺西 豊志
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
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深井 佳乃
日本電信電話(株)
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牧村 隆司
NTTエレクトロニクス(株)
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杉谷 末広
日本電信電話(株)
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山根 康朗
NTTエレクトロニクス(株)
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内田 昌宏
日本電信電話株式会社,NTTフォトニクス研究所
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杉田 憲一
福井大学工学部
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村田 浩一
日本電信電話(株)ntt Lsi研究所
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那須 悠介
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
田村 宗久
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
-
山本 〓勇
福井大学工学部
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石橋 忠夫
日本電信電話(株)フォトニクス研究所(現)NTTエレクトロニクス
-
井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
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那須 悠介
日本電信電話(株)フォトニクス研究所
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Asada Masahiro
The Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Te
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井田 実
日本電信電話(株)nttフォトニクス研
-
田村 宗久
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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倉田 優生
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉田 憲一
福井大学
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山本 〓勇
福井大学
-
静野 薫
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
山根 康朗
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
星 拓也
日本電信電話
-
井田 実
日本電信電話
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
-
那須 悠介
NTTフォトニクス研究所
-
鈴木 左文
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
-
倉田 優生
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
著作論文
- C-10-15 歪系In_Al_P/In_Ga_As HEMTにおける短チャネル効果の抑制(C-10.電子デバイス)
- C-doped GaAsSb におけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-10-20 サファイア基板上GaNのSAW特性(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-10-11 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサーのUWB応用(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- InP HFET高信頼化の検討(光デバイス・部品の信頼性)
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CS-6-2 アンチモン系材料によるHBT作製の課題(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InP/InGaAs新構造 Avalanche photodiode の高増倍率動作
- Si基板上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW構造太陽電池
- グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- C-4-33 メサ型新構造を有する高利得・広帯域InAlAs/InGaAsアバランシェフォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-33 ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(光送受信モジュール・デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- MOCVD成長CドープInGaAsSbベース低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ