C-4-33 メサ型新構造を有する高利得・広帯域InAlAs/InGaAsアバランシェフォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
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概要
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- 2011-08-30
著者
-
村本 好史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
児玉 聡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村本 好史
Nttフォトニクス研究所
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石橋 忠夫
日本電信電話(株)フォトニクス研究所(現)NTTエレクトロニクス
-
村本 好文
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
児玉 聡
Ntt フォトニクス研
-
名田 允洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
重川 直輝
Ntt フォトニクス研
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社
-
村本 好史
Ntt フォトニクス研
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社
-
横山 春喜
日本電信電話
-
重川 直輝
大阪市立大学大学院工学研究科
-
村本 好史
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
名田 允洋
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
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