名田允洋 | 日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所

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著作論文

InP/InGaAs新構造 Avalanche photodiode の高増倍率動作
InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
C-4-33 メサ型新構造を有する高利得・広帯域InAlAs/InGaAsアバランシェフォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
C-4-8 反転型高速アバランシェフォトダイオードの高い増倍感度(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
C-4-14 高感度APD-ROSAの25-/40-Gbps動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
C-4-24 ダイナミックレンジ拡大に向けた25-Gbit/s級InAIAsアバランシェフォトダイオードの低利得動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
C-3-23 APDを用いた小型高感度100GbE用光受信サブアセンブリ(C-3.光エレクトロニクス)
25Gbit/s級InAlAsアバランシェフォトダイオードの高性能化(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))

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