松崎 秀昭 | 日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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松崎 秀昭
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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松崎 秀昭
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
日本電信電話
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杉山 弘樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
Nttフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話
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小杉 敏彦
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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大坂 次郎
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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大坂 次郎
名古屋大学工学部
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石橋 忠夫
日本電信電話(株)フォトニクス研究所(現)NTTエレクトロニクス
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名田 允洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話株式会社
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村本 好史
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
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福山 裕之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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村本 好史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小田 康裕
日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所
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小田 康裕
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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福山 裕之
Nttフォトニクス研究所
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福山 裕之
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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濱田 裕史
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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野坂 秀之
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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名田 允洋
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
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佐野 公一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小林 隆
NTTフォトニクス研究所
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佐野 栄一
北海道大学大学院情報科学研究科
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杉谷 末広
日本電信電話(株)
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野坂 秀之
Nttワイヤレスシステム研究所
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中島 裕樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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中島 裕樹
NTTフォトニクス研究所
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稲船 浩司
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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榎木 考知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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佐野 公一
日本電信電話株式会社
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杉谷 末広
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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稲船 浩司
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻博士後期課程
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杉谷 末広
Ntt システム・エレクトロニクス研
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佐藤 宏
日産自動車
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佐野 栄一
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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村本 好史
Ntt フォトニクス研
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佐藤 宏
日産自動車株式会社総合研究所
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中村 光範
日産自動車株式会社総合研究所
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クライソン トロンナムチャイ
日産自動車株式会社総合研究所
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堤 卓也
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
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佐野 公一
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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堤 卓也
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
著作論文
- C-10-15 歪系In_Al_P/In_Ga_As HEMTにおける短チャネル効果の抑制(C-10.電子デバイス)
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- MOCVDを用いた歪み系In_Ga_As/AlAs RTDの高性能化
- C-10-3 超高速ディジタル回路用共鳴トンネルダイオード特性
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- MOCVDを用いた歪み系In_Ga_As/AlAs RTDの高性能化
- 0.1μmゲートInP HEMTによるミリ波アクティブ集積アンテナ発振回路(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-10-7 InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTを用いた低消費電力・高速SCFLインバータ(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- TC-1-3 共鳴トンネルダイオード電流-電圧特性の向上と最適化
- SC-9-6 BCB 液体ソースを用いたプラズマ CVD 法で堆積した低誘電率有機膜の膜質特性
- MOBILEの過渡応答と動作速度解析
- MOBILEの過渡応答と動作速度解析
- C-10-12 MOBILE過渡応答に対するRTD寄生抵抗の影響
- C-2-98 140GHz帯ミリ波イメージング装置の冬季屋外試験(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置,一般セッション)
- C-4-24 ダイナミックレンジ拡大に向けた25-Gbit/s級InAIAsアバランシェフォトダイオードの低利得動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-10-8 F帯フルカバースペクトル分析に向けたMMICミキサ回路(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-4-14 反転型アバランシェフォトダイオードの高速・高感度化技術(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-10-5 サブミリ波帯InP-IC向けウェハレベル裏面プロセス(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 25Gbit/s級InAlAsアバランシェフォトダイオードの高性能化(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
- F帯全帯域動作MMICミキサの設計法(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般)