25Gbit/s級InAlAsアバランシェフォトダイオードの高性能化(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
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概要
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シリアルレート25Gbit/s級光通信への適用にむけた,アバランシェフォトダイオード(APD)の高性能化技術について報告する.作製プロセスが容易で,暗電流の低減およびエッジブレークダウンの回避を可能とする反転型構造を用い,増倍層として,低雑音性および高利得帯域積を実現する薄層InAIAsを,また光吸収層として高速・高感度動作を可能とするp-/undoped-InGaAsによる複合光吸収層を用いることで,高速・高増倍感度動作を可能とした.更に,ダイナミックレンジ拡大のため,従来の反転型構造に加え,障壁緩和層を導入することにより,InAIAs増倍層を用いたAPDとしては低利得状態からの高速動作を確認した.これらの結果は,伝送距離の拡大,および小型・低消費電力化が求められる100Gbiゼs級中距離系の光ネットワークに向けた光トランシーバの実現を可能とするものである.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-10-17
著者
-
石橋 忠夫
日本電信電話(株)フォトニクス研究所(現)NTTエレクトロニクス
-
名田 允洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
横山 春喜
日本電信電話
-
松崎 秀昭
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
-
村本 好史
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
名田 允洋
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
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