GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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概要
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有機金属化学気相成長法(Metalorganic chemical vapor deposition:MOCVD)により、GaN基板上にn-GaN/un-InGaN/un-GaN/un-AlGaN/n-GaNを成長し、n-i-n型のダイオードを作製した。un-GaN/un-AlGaN/n-GaN(GAG)構造は、自発分極およびピエゾ分極の効果によりトンネル接合に近いバンドプロファイルを示す。このダイオードの電流-電圧特性を評価したところ、負性微分抵抗特性を得た。この負性微分特性はGAG構造によるトンネル接合の可能性を示唆するものである。
- 2012-11-22
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