再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

概要

論文の詳細を見る
エンハンスメントモードGaN FETの作製を目指し,アクセス領域に選択再成長AlGaNコンタクト層を有する,圧縮歪みIn_xAl_<1-x>N(15nm)/Al_<0.22>Ga_<0.78>N(3nm)/GaN(x=0.245-0.325)ヘテロ構造FETを作製した.In組成の0.245から0.325への増加により,2次元電子ガスの濃度は6.5×10^<12>から1.3×10^<12>cm^<-2>に低減した.AlGaN層の挿入により,In組成0.245の構造において,1,570cm^2/V・sと高い電子移動度が得られた.In_<0.325>Al_<0.675>N/Al_<0.22>Ga_<0.78>N/GaNにおいて,選択再成長AlGaNコンタクト層の形成により,シート抵抗は17,000から584Ω/sq.に低減した.作製したFETで,最大相互コンダクタンスは60mS/mm,最大ドレイン電流は0.11A/mmであった.特性向上のために,ゲートリークの抑制が必要であることが分かった.In組成を0.245から0.325に増加にさせることで,しきい値が-3.2から-0.2Vへと浅くなった.以上の結果から,InAlN/AlGaN/GaNヘテロ構造はエンハンスメント動作FETに応用が可能であることが分かった.
2010-01-06