廣木 正伸 | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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前田 就彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小林 隆
NTTフォトニクス研究所
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小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話株式会社
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横山 春喜
日本電信電話
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重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
Ntt フォトニクス研
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重川 直輝
日本電信電話株式会社
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小田 康裕
日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所
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牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社
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小田 康裕
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社
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重川 直輝
大阪市立大学大学院工学研究科
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塩島 謙次
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
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佐々木 智
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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原田 裕一
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
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末光 哲也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
八木 拓真
NTTアドバンステクノロジ株式会社
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末光 哲也
Ntt フォトニクス研
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
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西村 一巳
日本電信電話(株)フォトニクス研究所
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牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
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佐々木 智子
NTT基礎研
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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前田 就彦
NTTフォトニクス研究所
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廣木 正伸
NTTフォトニクス研究所
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西村 一己
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
原田 裕一
Ntt物性科学基礎研究所
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西村 一巳
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
-
西村 一巳
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
-
小杉 敏彦
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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牧村 隆司
NTTフォトニクス研究所NTT株式会社
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王 成新
NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
NTTフォトニクス研
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小林 直樹
日本電信電話株式会社 Nttサイバースペース研究所
-
小林 直樹
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
小林 直樹
Ntt 物性科学基礎研
-
小林 直樹
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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熊倉 一英
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社
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熊倉 一英
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
熊倉 一英
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
著作論文
- 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-10-11 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサーのUWB応用(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- MIS構造AlGaN/GaN HFETにおける絶縁膜/AlGaN/GaN層構造設計によるデバイス高性能化(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- ECRプラズマ成膜SiN,Al_2O_3ナノマスクを利用した低転位GaNの成長(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- InAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造及びそれを用いた電子デバイス特性
- 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 促進障壁層構造を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製 (電子デバイス)
- 促進障壁層構造を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 促進障壁層構造を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製 (電子部品・材料)
- 促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 促進障壁層を有する AlGaN/GaN E-mode HFET の作製
- 促進障壁層を有する AlGaN/GaN E-mode HFET の作製
- 促進障壁層を有する AlGaN/GaN E-mode HFET の作製