小林 直樹 | 日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

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• 小林 直樹

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

• 小林 直樹

  Ntt 物性科学基礎研

• 小林 直樹

  日本電信電話株式会社 Nttサイバースペース研究所

• 牧本 俊樹

  Ntt物性基礎研

• 嘉数 誠

  Ntt物性科学基礎研究所

• 熊倉 一英

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 牧本 俊樹

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 嘉数 誠

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

• 熊倉 一英

  日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所

• 牧本 俊樹

  日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所

• 牧本 俊樹

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 熊倉 一英

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 小林 直樹

  NTT基礎研究所

• 西田 敏夫

  Ntt物性基礎研究所

• 嘉数 誠

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 小林 直樹

  電気通信大学量子・物質工学科

• 小林 直樹

  NTTサイバースペース研究所

• 嘉数 誠

  NTT基礎研究所

• 椿 光太郎

  東洋大学工学部

• 嘉数 誠

  Ntt基礎研

• 谷保 芳孝

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 小林 直樹

  NTT物性科学基礎研究所

• 斉藤 正

  NTT物性科学基礎研究所

• 前田 就彦

  NTTフォトニクス研究所

• 齋藤 正

  NTT物性科学基礎研究所

• 前田 就彦

  NTT物性科学基礎研究所

• 椿 光太郎

  NTT物性科学基礎研究所

• 安藤 精後

  NTT基礎研究所

• 小林 直樹

  東日本電信電話株式会社研究開発センタ

• 安藤 精後

  日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所

• 安藤 精後

  日本電信電話 (株) 基礎研究所

• 木全 英明

  日本電信電話株式会社NTTサイバースペース研究所

• 高村 誠之

  日本電信電話株式会社NTTサイバースペース研究所

• 上倉 一人

  日本電信電話株式会社NTTサイバースペース研究所

• 俵 毅彦

  NTT物性科学基礎研究所

• 歓崎 実

  日本電信電話公社横須賀電気通信研究所

• 渡辺 裕

  早稲田大学大学院国際情報通信研究科

• 杉村 陽

  Ntt基礎研究所

• 八島 由幸

  日本電信電話株式会社NTTサイバースペース研究所

• 高村 誠之

  NTTサイバースペース研究所

• 廣木 正伸

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 清水 敦

  Ntt東日本法人営業部

• 杉村 陽

  NTT武蔵野通研

• 椿 光太郎

  NTT武蔵野通研

• 小林 直樹

  NTT武蔵野通研

• 八島 由幸

  日本電信電話(株)nttサイバースペース研究所

• 上倉 一人

  日本電信電話株式会社 Nttサイバースペース研究所

• 小林 康之

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 牧本 俊樹

  NTT基礎研究所

• 上倉 一人

  Nttサイバーソリューション研究所

• 米原 紀子

  NTTソフトウェア株式会社

• 前田 就彦

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 俵 毅彦

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 秦泉寺 久美

  日本電信電話株式会社NTTサイバースペース研究所

• 渡辺 裕

  早稲田大学国際情報通信研究センター

• 小林 直樹

  Ntt サイバースペース研

• Kubovic M

  Univ. Ulm Ulm Deu

• Kubovic Michal

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• 秦泉寺 久美

  日本電信電話株式会社 Nttサイバースペース研究所

• 岡田 重樹

  東日本電信電話株式会社 法人営業本部

• 岡田 重樹

  日本電信電話株式会社 NTTサイバースペース研究所

• 渡辺 裕

  NTT サイバースペース研究所

• ALEKSOV Aleksandar

  Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm

• KALLFASS Ingmar

  Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm

• SCHUMACHER Hermann

  Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm

• KOHN Erhard

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• 西田 敏夫

  日本電信電話(株)物性科学基礎研究所

• 小林 康之

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• 西田 敏夫

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  NTT 基礎研究所

• Kohn Erhard

  Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm

• 斉藤 久夫

  Ntt基礎研究所

• 嵯峨田 敦

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• 椿 光太郎

  日本電信電話公社

• Kallfass Ingmar

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• Aleksov Aleksandar

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• 清水 淳

  Ntt 東日本法人営業本部

• 小林 直樹

  Ntt

• 安藤 精後

  日本電信電話株式会社基礎研究所

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• 歓崎 実

  Ntt 電気通信研究所

• 渡辺 裕

  早稲田大学

• 木全 英明

  日本電信電話株式会社 サイバースペース研究所

• Kubovic Michal

  Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm

• 小林 直樹

  日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所

• 高村 誠之

  日本電信電話株式会社 NTTサイバースペース研究所

• 木全 英明

  日本電信電話株式会社

• 岡本 稔

  茨城電気通信研究所

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著作論文

• ノルム・角度成分表現による動きベクトルの符号化
• 3p-A-18 AlGaAs/GaAs2次元電子ガスの高磁場高電界における輸送現象
• スプライトを用いたMPEG-4超高圧縮符号化方式 : VideoESPER
• Al_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートをもつチャネルドープAlGaN/GaNヘテロ構造FET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• ダイヤモンドMESFETの高周波特性
• ECRプラズマ成膜SiN,Al_2O_3ナノマスクを利用した低転位GaNの成長(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
• [Invited]Npn型窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
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• 選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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• Npn型AlGaN/InGaN/GaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い降伏電界
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• P-GaN/n-AlGaNヘテロ接合ダイオードの容量-電圧特性による分極電荷密度の評価
• 歪InGaN接触層を用いたp-GaNへの低抵抗オーミック接触の形成(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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• 高濃度Siドープ窒化アルミニウムからの高いフィールドエミッション電流密度
• Al_Si_xN固溶体形成とフィールドエミッション
• GaN系半導体を用いた光・電子デバイス
• 窒化物ワイドギャップ半導体結晶成長 (特集論文1 窒化物ワイドギャップ半導体電子デバイス)
• 光反射法を用いた窒化ガリウムMOVPE成長のその場観察
• GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性
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• SC-7-10 GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性とFET特性
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• Siドープ AlNおよび高Al組成AlGaNのn型伝導性制御(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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• 窒化したGaAs表面のSTM加工を用いたGaAsナノ構造の選択成長
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• 選択成長法により形成した六角柱ファセットレーザー
• ITU-T SG16の動向
• 構造解析的手法に基づく均等色空間構成方法(カラーマネジメントおよび色彩工学)
• 簡易形画像入力方式"PALS"における画像歪の検討
• 3a-D1-3 極微細N-AlGaAs/GaAs 2DEG細線の磁気抵抗(3a D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトロン),半導体)

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