前田 就彦 | NTTフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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前田 就彦
NTTフォトニクス研究所
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椿 光太郎
東洋大学工学部
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小林 直樹
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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小林 直樹
Ntt 物性科学基礎研
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小林 直樹
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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斉藤 正
NTT物性科学基礎研究所
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齋藤 正
NTT物性科学基礎研究所
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小林 隆
NTTフォトニクス研究所
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廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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西田 敏夫
Ntt物性基礎研究所
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前田 就彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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小林 直樹
NTT物性科学基礎研究所
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前田 就彦
NTT物性科学基礎研究所
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椿 光太郎
NTT物性科学基礎研究所
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廣木 正伸
NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
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牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
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牧村 隆司
NTTフォトニクス研究所NTT株式会社
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王 成新
NTTフォトニクス研究所
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俵 毅彦
NTT物性科学基礎研究所
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重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
NTTフォトニクス研
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俵 毅彦
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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小林 直樹
電気通信大学量子・物質工学科
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重川 直輝
Ntt フォトニクス研
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重川 直輝
日本電信電話株式会社
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重川 直輝
大阪市立大学大学院工学研究科
著作論文
- Al_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートをもつチャネルドープAlGaN/GaNヘテロ構造FET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性
- SC-7-10 GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性とFET特性
- GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性
- InAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造及びそれを用いた電子デバイス特性
- 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlGaN/GaNヘテロ構造FET (特集論文1 窒化物ワイドギャップ半導体電子デバイス)