西田 敏夫 | Ntt物性基礎研究所
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概要
関連著者
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西田 敏夫
Ntt物性基礎研究所
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小林 直樹
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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小林 直樹
Ntt 物性科学基礎研
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小林 直樹
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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小林 直樹
NTT物性科学基礎研究所
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前田 就彦
NTT物性科学基礎研究所
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斉藤 正
NTT物性科学基礎研究所
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椿 光太郎
NTT物性科学基礎研究所
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前田 就彦
NTTフォトニクス研究所
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椿 光太郎
東洋大学工学部
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齋藤 正
NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
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小林 直樹
日本電信電話株式会社 Nttサイバースペース研究所
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西田 敏夫
Ntt物性科学基礎研究所 量子物性研究部
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前田 就彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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嘉数 誠
Ntt物性科学基礎研究所
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嘉数 誠
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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熊倉 一英
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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西田 敏夫
日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
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西田 敏夫
NTT 基礎研究所
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小林 直樹
NTT 基礎研究所
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伴 知幸
NELテクノサポート
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安藤 精後
NTT基礎研究所
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嘉数 誠
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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熊倉 一英
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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熊倉 一英
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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安藤 精後
日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所
著作論文
- GaN系半導体を用いた光・電子デバイス
- 窒化物ワイドギャップ半導体結晶成長 (特集論文1 窒化物ワイドギャップ半導体電子デバイス)
- GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性
- 表面光吸収法を用いたステップフリー表面・界面の形成
- 高品質AlN上に成長したGaN層フリー紫外LED
- 高品質AlN上に成長したGaN-free UV-LED(AlN結晶成長シンポジウム)
- AlGaN系紫外発光ダイオード(紫外発光材料の現状と将来)
- AlGaN系紫外発光ダイオード : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
- SC-7-10 GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性とFET特性
- GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性
- ファセット成長による半導体形状制御の研究 (特集論文 ファセットレ-ザ)