嘉数 誠 | 日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

スポンサーリンク

概要

• 嘉数 誠の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所の論文著者

関連著者

• 嘉数 誠

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

• 嘉数 誠

  Ntt物性科学基礎研究所

• 嘉数 誠

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 牧本 俊樹

  Ntt物性基礎研

• 小林 直樹

  日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 谷保 芳孝

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 小林 直樹

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

• 牧本 俊樹

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 牧本 俊樹

  日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所

• 牧本 俊樹

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 小林 直樹

  日本電信電話株式会社 Nttサイバースペース研究所

• 小林 直樹

  Ntt 物性科学基礎研

• 小林 直樹

  NTT基礎研究所

• 嘉数 誠

  NTT基礎研究所

• 山内 喜晴

  日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所

• 嘉数 誠

  Ntt基礎研

• Kubovic M

  Univ. Ulm Ulm Deu

• Kubovic Michal

  Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm

• KOHN Erhard

  Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm

• 植田 研二

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• Kubovic Michal

  Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm

• 小林 康之

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• Kohn E

  Univ. Ulm Ulm Deu

• 平間 一行

  佐賀大学グリーンエレクトロニクス研究所大学院工学系研究科:日本電信電話株式会社,NTT物性科学基礎研究所

• 影島 博之

  NTT物性基礎研

• 赤坂 哲也

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 牧本 俊樹

  NTT基礎研究所

• 平間 一行

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

• 嘉数 誠

  佐賀大学グリーンエレクトロニクス研究所大学院工学系研究科

• 嘉数 誠

  佐賀大学グリーンエレクトロニクス研究所

• 小林 康之

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 赤坂 哲也

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 角柳 孝輔

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

• 根本 香絵

  国立情報研

• 仙場 浩一

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 齊藤 志郎

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 西田 敏夫

  Ntt物性基礎研究所

• 佐藤 寿志

  日本電信電話株式会社NTT物性基礎研究所

• 前田 就彦

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 佐々木 智

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 根本 香絵

  NII

• 植田 研二

  Ntt物性基礎研

• ALEKSOV Aleksandar

  Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm

• KALLFASS Ingmar

  Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm

• SCHUMACHER Hermann

  Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm

• 熊倉 一英

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 西田 敏夫

  日本電信電話(株)物性科学基礎研究所

• Kohn Erhard

  Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm

• 斉藤 久夫

  Ntt基礎研究所

• Coe S.

  日本電信電話株式会社 エレメントシックス社

• 小林 康之

  NTT基礎研究所

• 影島 博之

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 根本 香絵

  総合研究大学院大学情報学専攻:国立情報学研究所

• Twitchen D.

  日本電信電話株式会社 エレメントシックス社

• Schwitters M.

  日本電信電話株式会社 エレメントシックス社

• Scarsbrook G.

  日本電信電話株式会社 エレメントシックス社

• 根本 香絵

  国立情報学研

• テレア アレクサンダ

  日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所

• イエ ハイタオ

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• Kallfass Ingmar

  Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm

• Schumacher Hermann

  Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm

• Aleksov Aleksandar

  Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm

• Kemp A.

  日本電信電話株式会社、ntt物性科学基礎研究所

• ZHU X.

  日本電信電話株式会社、NTT物性科学基礎研究所

• 狩元 慎一

  日本電信電話株式会社、NTT物性科学基礎研究所

• 中ノ 隼人

  日本電信電話株式会社、NTT物性科学基礎研究所

• MUNRO W.

  日本電信電話株式会社、NTT物性科学基礎研究所

• 都倉 康弘

  日本電信電話株式会社、NTT物性科学基礎研究所

• EVERITT M.

  国立情報学研究所

• 水落 憲和

  大阪大学、基礎工学研究科

• 熊倉 一英

  日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所

• KUBOVIC Michal

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 佐藤 寿志

  佐賀大学グリーンエレクトロニクス研究所大学院工学系研究科:日本電信電話株式会社,NTT物性科学基礎研究所

• 嘉数 誠

  佐賀大学グリーンエレクトロニクス研究所大学院工学系研究科:日本電信電話株式会社,NTT物性科学基礎研究所

• 仙場 浩一

  NTT物性基礎研:東京理科大:国立情報学研

• 熊倉 一英

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• 根本 香絵

  国立情報学研究

もっと見る 閉じる

著作論文

• 波長210nm遠紫外発光ダイオードの高効率化 (特集 材料基礎研究最前線)
• ダイヤモンドMESFETの高周波特性
• 高濃度Siドープ窒化アルミニウムからの高いフィールドエミッション電流密度
• Al_Si_xN固溶体形成とフィールドエミッション
• GaN系半導体を用いた光・電子デバイス
• STMリソグラフィーによるナノスケールGaAs選択成長
• 窒化アルミニウム系LEDの研究開発 (マテリアルフォーカス:オプトロニクス より明るく,より低消費電力に駆動させることに貢献する 薄型化,放熱対策など--LEDおよびLEDバックライトユニットの周辺部材の技術トレンド)
• 科学解説 窒化アルミニウム遠紫外発光ダイオード
• ステップフローMOVPE成長による量子細線
• 水素終端ダイヤモンドFETのゲート金属界面
• ダイヤモンド高周波デバイスの現状と課題
• C-10-10 高品質多結晶ダイヤモンドFETの作製と特性評価(C-10.電子デバイス,一般講演)
• 深紫外光源のための窒化物半導体の開発
• 未来を拓く先端技術 世界最短波長210nmの遠紫外発光ダイオード
• C-10-11 ダイヤモンドFETの高周波特性と等価回路解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
• 窒化アルミニウムを用いた210nm遠紫外LED (特集 材料からのブレークスルー)
• C-10-11 ダイヤモンドMESFETの1GHz,2W/mm級電力動作(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 科学解説 水素終端ダイヤモンド高周波電力FETの現状と課題
• Siドープ AlNおよび高Al組成AlGaNのn型伝導性制御(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• SiドープAlNおよび高Al組成AlGaNのn型伝導性制御(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• Al_Si_xN固溶体形成とフィールドエミッション
• 窒素表面パッシベーションとSTMナノメートル加工によるGaAs選択成長
• 窒化したGaAs表面のSTM加工を用いたGaAsナノ構造の選択成長
• 高真空STMによるMOCVD成長の表面拡散とステップバンチング機構の解明
• STMによる微傾斜基板上MOCVD成長GaAsのステップ構造の観察
• ダイヤモンド/窒化物半導体ヘテロ構造の結晶成長と物性
• 表面過飽和度制御によるGaNステップフリー面の形成(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
• 単結晶AlN/ダイヤモンドヘテロ構造成長
• 超伝導磁束量子ビットとスピン集団のコヒーレント結合
• NOおよびO吸着による水素終端ダイヤモンド表面の正孔ドーピング (特集 カーボン系材料の特異な表面科学)
• ダイヤモンド結晶成長 : パワーデバイス応用への現状と課題(ダイヤモンド成長)
• NO_2およびO_3吸着による水素終端ダイヤモンド表面の正孔ドーピング

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク