小林 直樹 | NTT基礎研究所
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概要
関連著者
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小林 直樹
NTT基礎研究所
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小林 直樹
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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嘉数 誠
Ntt物性科学基礎研究所
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嘉数 誠
NTT基礎研究所
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嘉数 誠
Ntt基礎研
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日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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NTT基礎研究所
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安藤 精後
NTT基礎研究所
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Ntt基礎研
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Ntt 基礎研
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日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所
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NTT基礎研究所
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小林 直樹
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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小林 康之
NTT基礎研究所
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恩田 智彦
花王基礎研
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小林 直樹
日本電信電話株式会社 Nttサイバースペース研究所
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岡本 康昭
島根大学総合理工学部
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赤坂 哲也
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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斎藤 久夫
NTT基礎研究所
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西田 敏夫
NTT基礎研究所
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安達 洋
室蘭工業大学
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福島 整
無機材研
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福島 整
独立行政法人物質・材料研究機構 ナノ計測センター先端表面化学分析グループ
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伏見 公志
北大院工
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安達 洋
室蘭工大
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岡本 康昭
阪大基礎工
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小林 直樹
NTT物性科学基礎研究所
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小林 康之
NTT物性科学基礎研究所
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岡本 康昭
大阪大学基礎工学部化学工学科
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斉藤 久夫
Ntt基礎研究所
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中村 一隆
金材研
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中村 一隆
金材技研
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鳥山 剛
NTT通研
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小林 直樹
NTT通研
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堀越 佳治
NTT通研
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安藤 弘明
NTT基礎研究所
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熊谷 雅美
Ntt基礎研究所
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赤坂 哲也
NTT基礎研究所
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安藤 精後
日本電信電話株式会社基礎研究所
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安藤 弘明
日本電信電話株式会社基礎研究所
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山内 善晴
NTT基礎研
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安藤 精後
日本電信電話 (株) 基礎研究所
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熊谷 雅美
NTT基礎研
著作論文
- 28a-M-7 GaAs_N_x(x
- 先端追跡
- 光反射法を用いた窒化ガリウムMOVPE成長のその場観察
- STMリソグラフィーによるナノスケールGaAs選択成長
- ステップフローMOVPE成長による量子細線
- 先端追跡
- 半導体成長表面の表面分析
- ブルスター角入射光反射モニタ (Surface Photo-Absorption SPA) 法による有機金属気相成長表面反応とその場観察 : ALE成長機構
- 表面光吸収法
- 表面光吸収法によるエピタキシャル成長過程の観察
- 5a-A2-13 AlAs-GaAs短周期原子層超格子のフォトルミネッセンス
- GaNの選択成長と微小ファセットレーザへの応用
- 窒素表面パッシベーションとSTMナノメートル加工によるGaAs選択成長
- 窒化したGaAs表面のSTM加工を用いたGaAsナノ構造の選択成長
- 高真空STMによるMOCVD成長の表面拡散とステップバンチング機構の解明
- STMによる微傾斜基板上MOCVD成長GaAsのステップ構造の観察
- GaAsファセットレ-ザ (特集論文 ファセットレ-ザ)
- 選択成長法により形成した六角柱ファセットレーザー
- MOCVD選択成長による六角柱ファセットレーザー
- 27a-ZG-7 III-V族半導体成長表面の光反射スペクトルその場観察における化学シフト
- 2〜10μm帯半導体レ-ザ-
- 形状制御によるファセットレ-ザの成長 (特集論文 ファセットレ-ザ)
- 表面光吸収法による気相成長表面の観察
- 29p-W-12 気体分子の吸着・解離過程に及ぼす半導体表面ポテンシャルの影響