2〜10μm帯半導体レ-ザ-
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 28a-M-7 GaAs_N_x(x
- 先端追跡
- 光反射法を用いた窒化ガリウムMOVPE成長のその場観察
- STMリソグラフィーによるナノスケールGaAs選択成長
- 30p-X-4 サイクロトロン共鳴磁場での遠赤外光伝導
- 4p-G-7 共振器による自然放出の制御としきい値のないレーザ
- ステップフローMOVPE成長による量子細線
- サブミクロン径ショットキ・バリア・ダイオードの研究開発 -サブミリ波帯のデバイス及び金属/半導体界面評価の新しい手段-
- 先端追跡
- 半導体成長表面の表面分析
- ブルスター角入射光反射モニタ (Surface Photo-Absorption SPA) 法による有機金属気相成長表面反応とその場観察 : ALE成長機構
- 表面光吸収法
- 表面光吸収法によるエピタキシャル成長過程の観察
- 5a-A2-13 AlAs-GaAs短周期原子層超格子のフォトルミネッセンス
- 30p-X-14 異方的な散乱による輸送
- GaNの選択成長と微小ファセットレーザへの応用
- 26a-ZB-12 高移動度二次元電子ガスにおけるバリスティック伝導
- 窒素表面パッシベーションとSTMナノメートル加工によるGaAs選択成長
- 窒化したGaAs表面のSTM加工を用いたGaAsナノ構造の選択成長
- 高真空STMによるMOCVD成長の表面拡散とステップバンチング機構の解明
- STMによる微傾斜基板上MOCVD成長GaAsのステップ構造の観察
- GaAsファセットレ-ザ (特集論文 ファセットレ-ザ)
- 選択成長法により形成した六角柱ファセットレーザー
- MOCVD選択成長による六角柱ファセットレーザー
- InAs表面における再構成の変化と相転移
- 26p-F-5 InAs基板表面におけるAs-As相互作用の面内異方性
- MEE成長とその応用
- 西澤潤一教授(Plenary Session)(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- 27a-ZC-2 InAs微傾斜基板表面における表面構造相転移
- 27a-D-6 GaAs,InAs表面におけるAs脱離過程への表面再構成の影響
- 27a-ZG-7 III-V族半導体成長表面の光反射スペクトルその場観察における化学シフト
- マイグレ-ション・エンハンスト・エピタキシ-によるGaAs,AlGaAs成長機構
- 量子効果薄膜結晶の成長技術 (量子効果デバイスの現状と展望)
- 化合物半導体の新結晶成長法
- 2〜10μm帯半導体レ-ザ-
- 形状制御によるファセットレ-ザの成長 (特集論文 ファセットレ-ザ)
- 表面光吸収法による気相成長表面の観察
- 29p-W-12 気体分子の吸着・解離過程に及ぼす半導体表面ポテンシャルの影響
- 1a-L1-3 半導体周期超格子のX線回折(半導体,(表面・界面・超格子))