GaNの選択成長と微小ファセットレーザへの応用
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概要
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MOVPEを用いたGaNの選択成長を行った。その結果、(0001)サファイア基板上にGaNの微小六角柱構造を初めて形成した。成長表面における活性窒素の被覆率を成長条件により変化させると、ファセットの形状制御が可能となることを示した。作製したGaN微小六角柱は光ポンプにより内接六角形リングモードで室温レーザ発振し、電流注入動作に向けて構造的にも結晶品質においても、デバイスクオリティであることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-02-17
著者
-
小林 康之
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
赤坂 哲也
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
小林 直樹
NTT基礎研究所
-
小林 康之
NTT基礎研究所
-
熊谷 雅美
Ntt基礎研究所
-
赤坂 哲也
NTT基礎研究所
-
安藤 精後
NTT基礎研究所
-
熊谷 雅美
NTT基礎研
-
安藤 精後
日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所
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