表面過飽和度制御によるGaNステップフリー面の形成(<特集>次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)

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概要

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MOVPE選択成長法を用いて,1分子層の段差も存在しない,GaNステップフリー面を大きさ50μmまで形成することに成功した.このステップフリー面は螺旋・混合転位が全くない選択成長領域に形成され,多数核モードで成長が進行することを明らかにした.一方,選択成長領域に1本でも螺旋転位や混合転位が存在すると,転位を中心とする螺旋成長モードで成長は進行し,GaN表面は成長スパイラルの単分子層ステップで覆われた.また,成長中の表面過飽和度を成長スパイラルのステップ間隔から推定し,多核成長と螺旋成長の成長速度の表面過飽和度依存性を結晶成長の基礎理論(BCF理論)と比較した.
日本結晶成長学会の論文

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