嘉数 誠 | Ntt物性科学基礎研究所
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概要
関連著者
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嘉数 誠
Ntt物性科学基礎研究所
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嘉数 誠
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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嘉数 誠
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
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小林 直樹
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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谷保 芳孝
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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小林 直樹
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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小林 直樹
日本電信電話株式会社 Nttサイバースペース研究所
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小林 直樹
Ntt 物性科学基礎研
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小林 直樹
NTT基礎研究所
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嘉数 誠
NTT基礎研究所
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山内 喜晴
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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嘉数 誠
Ntt基礎研
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Kubovic M
Univ. Ulm Ulm Deu
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Kubovic Michal
Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm
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KOHN Erhard
Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm
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植田 研二
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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Kubovic Michal
Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm
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小林 康之
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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Kohn E
Univ. Ulm Ulm Deu
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影島 博之
NTT物性基礎研
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赤坂 哲也
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
NTT基礎研究所
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平間 一行
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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平間 一行
佐賀大学グリーンエレクトロニクス研究所大学院工学系研究科:日本電信電話株式会社,NTT物性科学基礎研究所
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小林 康之
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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赤坂 哲也
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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角柳 孝輔
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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根本 香絵
国立情報研
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仙場 浩一
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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齊藤 志郎
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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西田 敏夫
Ntt物性基礎研究所
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前田 就彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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佐々木 智
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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根本 香絵
NII
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植田 研二
Ntt物性基礎研
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ALEKSOV Aleksandar
Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm
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KALLFASS Ingmar
Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm
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SCHUMACHER Hermann
Department of Electron Devices and Circuits , University of Ulm
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熊倉 一英
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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西田 敏夫
日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
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Kohn Erhard
Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm
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斉藤 久夫
Ntt基礎研究所
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Coe S.
日本電信電話株式会社 エレメントシックス社
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小林 康之
NTT基礎研究所
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影島 博之
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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根本 香絵
総合研究大学院大学情報学専攻:国立情報学研究所
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Twitchen D.
日本電信電話株式会社 エレメントシックス社
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Schwitters M.
日本電信電話株式会社 エレメントシックス社
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Scarsbrook G.
日本電信電話株式会社 エレメントシックス社
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根本 香絵
国立情報学研
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テレア アレクサンダ
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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イエ ハイタオ
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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Kallfass Ingmar
Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm
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Schumacher Hermann
Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm
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Aleksov Aleksandar
Department Of Electron Devices And Circuits University Of Ulm
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Kemp A.
日本電信電話株式会社、ntt物性科学基礎研究所
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ZHU X.
日本電信電話株式会社、NTT物性科学基礎研究所
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狩元 慎一
日本電信電話株式会社、NTT物性科学基礎研究所
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中ノ 隼人
日本電信電話株式会社、NTT物性科学基礎研究所
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MUNRO W.
日本電信電話株式会社、NTT物性科学基礎研究所
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都倉 康弘
日本電信電話株式会社、NTT物性科学基礎研究所
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EVERITT M.
国立情報学研究所
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水落 憲和
大阪大学、基礎工学研究科
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熊倉 一英
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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仙場 浩一
NTT物性基礎研:東京理科大:国立情報学研
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熊倉 一英
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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根本 香絵
国立情報学研究
著作論文
- 波長210nm遠紫外発光ダイオードの高効率化 (特集 材料基礎研究最前線)
- ダイヤモンドMESFETの高周波特性
- 高濃度Siドープ窒化アルミニウムからの高いフィールドエミッション電流密度
- Al_Si_xN固溶体形成とフィールドエミッション
- GaN系半導体を用いた光・電子デバイス
- STMリソグラフィーによるナノスケールGaAs選択成長
- 窒化アルミニウム系LEDの研究開発 (マテリアルフォーカス:オプトロニクス より明るく,より低消費電力に駆動させることに貢献する 薄型化,放熱対策など--LEDおよびLEDバックライトユニットの周辺部材の技術トレンド)
- 科学解説 窒化アルミニウム遠紫外発光ダイオード
- ステップフローMOVPE成長による量子細線
- 水素終端ダイヤモンドFETのゲート金属界面
- ダイヤモンド高周波デバイスの現状と課題
- C-10-10 高品質多結晶ダイヤモンドFETの作製と特性評価(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 深紫外光源のための窒化物半導体の開発
- 未来を拓く先端技術 世界最短波長210nmの遠紫外発光ダイオード
- C-10-11 ダイヤモンドFETの高周波特性と等価回路解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 窒化アルミニウムを用いた210nm遠紫外LED (特集 材料からのブレークスルー)
- C-10-11 ダイヤモンドMESFETの1GHz,2W/mm級電力動作(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 科学解説 水素終端ダイヤモンド高周波電力FETの現状と課題
- Siドープ AlNおよび高Al組成AlGaNのn型伝導性制御(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- SiドープAlNおよび高Al組成AlGaNのn型伝導性制御(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- Al_Si_xN固溶体形成とフィールドエミッション
- 窒素表面パッシベーションとSTMナノメートル加工によるGaAs選択成長
- 窒化したGaAs表面のSTM加工を用いたGaAsナノ構造の選択成長
- 高真空STMによるMOCVD成長の表面拡散とステップバンチング機構の解明
- STMによる微傾斜基板上MOCVD成長GaAsのステップ構造の観察
- ダイヤモンド/窒化物半導体ヘテロ構造の結晶成長と物性
- 表面過飽和度制御によるGaNステップフリー面の形成(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
- 単結晶AlN/ダイヤモンドヘテロ構造成長
- 超伝導磁束量子ビットとスピン集団のコヒーレント結合
- NOおよびO吸着による水素終端ダイヤモンド表面の正孔ドーピング (特集 カーボン系材料の特異な表面科学)