STMによる微傾斜基板上MOCVD成長GaAsのステップ構造の観察
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概要
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高真空走査型トンネル顕微鏡(STM)を用いて、(001)微傾斜基板上に有機金属気相成長法(MOCVD)で成長したGaAs表面のステップ構造を観察した。MOCVD装置に結合させた真空チャンバーで成長表面をAsパッシベーションすることにより、成長表面を酸化させずに高真空STM装置へ移送し、初めて単分子層ステップを観察することができた。[110]方向に微傾斜した面上のステップ(Aステップ)は[1^^-10]方向に微傾斜した面上のステップ(Bステップ)に比べ揺らぎの大きさがほぼ2倍であることがわかった。微傾斜角度が7.0°以下の基板上で575℃以上650℃以下の成長温度範囲でステップバンチングがおこり、(001)面テラスと約10°の角度をもつファセットで構成される表面構造になった。さらに530℃で拡散係数の減少に伴う、[110]方向に約1.5倍の長半径をもった楕円形の二次元アイランドの出現を観察した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-11-18
著者
-
小林 直樹
NTT基礎研究所
-
嘉数 誠
Ntt物性科学基礎研究所
-
小林 直樹
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
嘉数 誠
NTT基礎研究所
-
嘉数 誠
Ntt基礎研
-
嘉数 誠
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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