NOおよびO吸着による水素終端ダイヤモンド表面の正孔ドーピング (特集 カーボン系材料の特異な表面科学)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

著者

• 嘉数 誠

  Ntt物性科学基礎研究所

• 嘉数 誠

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

関連論文

• 波長210nm遠紫外発光ダイオードの高効率化 (特集 材料基礎研究最前線)
• ダイヤモンドMESFETの高周波特性
• 高濃度Siドープ窒化アルミニウムからの高いフィールドエミッション電流密度
• Al_Si_xN固溶体形成とフィールドエミッション
• GaN系半導体を用いた光・電子デバイス
• STMリソグラフィーによるナノスケールGaAs選択成長
• 窒化アルミニウム系LEDの研究開発 (マテリアルフォーカス:オプトロニクス より明るく,より低消費電力に駆動させることに貢献する 薄型化,放熱対策など--LEDおよびLEDバックライトユニットの周辺部材の技術トレンド)
• 科学解説 窒化アルミニウム遠紫外発光ダイオード
• ステップフローMOVPE成長による量子細線
• 水素終端ダイヤモンドFETのゲート金属界面
• ダイヤモンド高周波デバイスの現状と課題
• C-10-10 高品質多結晶ダイヤモンドFETの作製と特性評価(C-10.電子デバイス,一般講演)
• 深紫外光源のための窒化物半導体の開発
• 未来を拓く先端技術 世界最短波長210nmの遠紫外発光ダイオード
• C-10-11 ダイヤモンドFETの高周波特性と等価回路解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
• 窒化アルミニウムを用いた210nm遠紫外LED (特集 材料からのブレークスルー)
• C-10-11 ダイヤモンドMESFETの1GHz,2W/mm級電力動作(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 科学解説 水素終端ダイヤモンド高周波電力FETの現状と課題
• Siドープ AlNおよび高Al組成AlGaNのn型伝導性制御(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• SiドープAlNおよび高Al組成AlGaNのn型伝導性制御(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• Al_Si_xN固溶体形成とフィールドエミッション
• 窒素表面パッシベーションとSTMナノメートル加工によるGaAs選択成長
• 窒化したGaAs表面のSTM加工を用いたGaAsナノ構造の選択成長
• 高真空STMによるMOCVD成長の表面拡散とステップバンチング機構の解明
• STMによる微傾斜基板上MOCVD成長GaAsのステップ構造の観察
• ダイヤモンド/窒化物半導体ヘテロ構造の結晶成長と物性
• 表面過飽和度制御によるGaNステップフリー面の形成(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
• 単結晶AlN/ダイヤモンドヘテロ構造成長
• 超伝導磁束量子ビットとスピン集団のコヒーレント結合
• NOおよびO吸着による水素終端ダイヤモンド表面の正孔ドーピング (特集 カーボン系材料の特異な表面科学)
• ダイヤモンド結晶成長 : パワーデバイス応用への現状と課題(ダイヤモンド成長)
• NO_2およびO_3吸着による水素終端ダイヤモンド表面の正孔ドーピング

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク