窒化したGaAs表面のSTM加工を用いたGaAsナノ構造の選択成長
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概要
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窒素ガスをタングステンフィラメントを用いて熱分解することにより原子状窒素を生成し、GaAs表面を窒化した。窒化により形成したGaN層は、GaAs選択成長用のマスクとして利用することが可能である。選択マスクのパターンニングには走査型トンネル顕微鏡(STM)によるナノメートル加工を用いた。トリメチルガリウムとターシャリーブチルアルシンを用いたMOMBE法により、GaAsの露出した部分にGaAsナノ構造の選択成長を行った。STMによる観察を行ったところ、均一性の良い、高さ6 nm、直径50 nmのドット列が形成されていることを確認した。GaAs基板の窒化とSTMによる加工を組み合わせることにより、ナノメートルスケールの微細構造半導体の選択成長が可能であることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-11
著者
-
小林 直樹
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
NTT基礎研究所
-
小林 直樹
NTT基礎研究所
-
牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
-
小林 直樹
Ntt 物性科学基礎研
-
嘉数 誠
Ntt物性科学基礎研究所
-
小林 直樹
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
嘉数 誠
NTT基礎研究所
-
嘉数 誠
Ntt基礎研
-
嘉数 誠
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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