選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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概要
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窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)は,高出力用電子デバイスとして期待されているが,今までに報告された窒化物半導体HBTには二つの大きな問題点があった。一つ目の問題点は電流利得が低い(35以下)点であり,もう一つの問題点はエミッタ接地電流-電圧(I-V)特性におけるオフセット電圧が高い(5V程度)点である.この原因としては,HBTを作製する際のエッチングダメージによってベース層のオーミック特性が劣化していることが考えられる。今回,このオーミック特性を改善することを目的として,外部ベース層の選択成長を行ってNpn型GaN/InGaN HBT を作製したところ,エミッタ接地I-V特性が大幅に向上したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-08
著者
-
小林 直樹
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
-
小林 直樹
Ntt 物性科学基礎研
-
小林 直樹
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
熊倉 一英
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
小林 直樹
電気通信大学量子・物質工学科
-
熊倉 一英
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
熊倉 一英
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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