[Invited]Npn型窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
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概要
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窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)は,材料およびデバイスの両面から,高出力用電子デバイスとして期待されている。我々は,AlGaN/InGaN/GaN HBTにおいて,高い降伏電界強度(2.3MV/cm)を得ることに成功した。この値は. GaNのバンドギャップから期待される降伏電界強度に匹敵する.しかしながら,窒化物半導体HBTにおける他の特性は必ずしも良好ではなかった.この原因として,HBTを作製する際のエッチングダメージによってベース層のオーミック特性が劣化していることが考えられる.そして,このオーミック特性を改善することを目的として,外部ベース層の選択成長を行ってNpn型GaN/InGaN HBTを作製した.この結果,エミッタ接地I-V特性における電流利得は2000を超え,オフセット電圧はIV以下という良好なHBT特性を得ることに成功した.これらの特性は他の材料で作製したHBTの特性に匹敵しており,今後の窒化物半導体HBTの研究開発が期待される.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-24
著者
-
小林 直樹
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
-
小林 直樹
Ntt 物性科学基礎研
-
小林 直樹
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
熊倉 一英
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
小林 直樹
電気通信大学量子・物質工学科
-
熊倉 一英
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
熊倉 一英
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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