SC-7-10 GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性とFET特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-07
著者
-
小林 直樹
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
-
西田 敏夫
Ntt物性基礎研究所
-
小林 直樹
Ntt 物性科学基礎研
-
小林 直樹
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
小林 直樹
NTT物性科学基礎研究所
-
前田 就彦
NTT物性科学基礎研究所
-
斉藤 正
NTT物性科学基礎研究所
-
椿 光太郎
NTT物性科学基礎研究所
-
前田 就彦
NTTフォトニクス研究所
-
椿 光太郎
東洋大学工学部
-
齋藤 正
NTT物性科学基礎研究所
関連論文
- ノルム・角度成分表現による動きベクトルの符号化
- 3p-A-18 AlGaAs/GaAs2次元電子ガスの高磁場高電界における輸送現象
- 微小発熱面からの沸騰伝熱に関する研究
- 31a-Q-6 直列ポイントコンタクトの非平衡電流雑音特性II
- スプライトを用いたMPEG-4超高圧縮符号化方式 : VideoESPER
- Al_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートをもつチャネルドープAlGaN/GaNヘテロ構造FET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- ダイヤモンドMESFETの高周波特性
- ECRプラズマ成膜SiN,Al_2O_3ナノマスクを利用した低転位GaNの成長(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- [Invited]Npn型窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]Npn型窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Npn型AlGaN/InGaN/GaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い降伏電界
- Npn型AlGaN/InGaN/GaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い降伏電界
- P-GaN/n-AlGaNヘテロ接合ダイオードの容量-電圧特性による分極電荷密度の評価
- 歪InGaN接触層を用いたp-GaNへの低抵抗オーミック接触の形成(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 歪InGaN接触層を用いたp-GaNへの低抵抗オーミック接触の形成(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 高濃度Siドープ窒化アルミニウムからの高いフィールドエミッション電流密度
- Al_Si_xN固溶体形成とフィールドエミッション
- GaN系半導体を用いた光・電子デバイス
- 窒化物ワイドギャップ半導体結晶成長 (特集論文1 窒化物ワイドギャップ半導体電子デバイス)
- 光反射法を用いた窒化ガリウムMOVPE成長のその場観察
- GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性
- 表面光吸収法を用いたステップフリー表面・界面の形成
- STMリソグラフィーによるナノスケールGaAs選択成長
- 高品質AlN上に成長したGaN層フリー紫外LED
- 高品質AlN上に成長したGaN-free UV-LED(AlN結晶成長シンポジウム)
- AlGaN系紫外発光ダイオード(紫外発光材料の現状と将来)
- AlGaN系紫外発光ダイオード : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
- SC-7-10 GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性とFET特性
- GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性
- ファセット成長による半導体形状制御の研究 (特集論文 ファセットレ-ザ)
- ステップフローMOVPE成長による量子細線
- 直列ポイントコンタクトの非平衡電流雑音特性
- 参照画像更新をベースとしたリアルタイムエラー耐性ビデオオブジェクト配信方式
- 28a-F-6 周期ポテンシャル下の二次元電子ガスの強磁場伝導
- InAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造及びそれを用いた電子デバイス特性
- 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- Siドープ AlNおよび高Al組成AlGaNのn型伝導性制御(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- SiドープAlNおよび高Al組成AlGaNのn型伝導性制御(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- Al_Si_xN固溶体形成とフィールドエミッション
- 窒素表面パッシベーションとSTMナノメートル加工によるGaAs選択成長
- 窒化したGaAs表面のSTM加工を用いたGaAsナノ構造の選択成長
- 高真空STMによるMOCVD成長の表面拡散とステップバンチング機構の解明
- STMによる微傾斜基板上MOCVD成長GaAsのステップ構造の観察
- 29p-J-4 半導体微細構造の量子輸送
- Superior Pinch-Off Characteristics at 400℃ in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors
- Enhanced Electron Mobility in AlGaN/InGaN/AlGaN Double-Heterostructures by Piezoelectric Effect
- 選択成長法により形成した六角柱ファセットレーザー
- ITU-T SG16の動向
- Surface Damage in InP Induced during SiO_2 Deposition by rf Sputtering
- ステンレス鋼の室温と高温での塑性クリープ予変形後の繰返し変形挙動
- AlGaN/GaNヘテロ構造FET (特集論文1 窒化物ワイドギャップ半導体電子デバイス)
- 構造解析的手法に基づく均等色空間構成方法(カラーマネジメントおよび色彩工学)
- 簡易形画像入力方式"PALS"における画像歪の検討
- 医療福祉論序説 (成城学園60周年記念)
- 環境経済論ノート (内田直作名誉教授古稀記念号)
- Selectively-Doped GaAs/n-AlGaAs Heterostructures Grown by MOCVD
- Carrier Concentration in Quantum Wires Fabricated by Ractive Ion Beam Etching
- R.L.Currey他;A Theory of Political Exchange.1968
- Sub-Micron Vertical Double Magnetic Barrier Device
- 産業構造政策論ノート(二) : 産業構造審議会「報告」批判 (山崎三郎教授追悼号)
- 外部経済論(五) (片野一郎教授古稀記念号)
- 「厚生経済学」批判ノート (有井治教授古稀記念論文集)
- A・リンドベック著(八木甫訳)『ニュー・レフトの政治経済学』(一九七三年、日本経済新聞社、一七一頁)
- 産業構造政策論ノート(一) : 「知識集約化産業」批判
- Ajit K. Dasgupta and D.W. Pearce, Cost-Benefit Analysis, Macmillan (1972) pp.270
- 外部経済論(四)
- 公害経済論序説 (神田脩一教授追悼号)
- 外部経済論(三)
- 外部経済論(2)
- 外部経濟論(一)
- 3a-D1-3 極微細N-AlGaAs/GaAs 2DEG細線の磁気抵抗(3a D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトロン),半導体)