高品質AlN上に成長したGaN-free UV-LED(AlN結晶成長シンポジウム)
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概要
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A GaN-free UV-LED structure was directly grown on a high quality AlN-template. The device structure is transparent and its external quantum efficiency was 2.2%.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2003-07-05
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