GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性

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概要

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• AlGaN/GaNシングル・ヘテロ構造およびAlGaN/(In)GaN/AlGaNダブル・ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性について報告する。AlGaN/GaNシングル・ヘテロ構造FETにおいては、高い2次元電子濃度を得るためのこの材料系特有の設計指針、および、ピンチオフ特性の良好な高温トランジスタ特性について報告する。AlGaN/(In)GaN/AlGaNダブル・ヘテロ構造においては、この材料系に特有の2次元電子移動度の劇的な促進現象について報告する。試作したGaNダブル・ヘテロ構造FETからは、相互コンダクタンス180mS/mmの電流飽和およびピンチオフ特性の良好な静特性が得られた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1999-10-22

著者

• 小林 直樹

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

• 西田 敏夫

  Ntt物性基礎研究所

• 小林 直樹

  Ntt 物性科学基礎研

• 小林 直樹

  日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 小林 直樹

  NTT物性科学基礎研究所

• 前田 就彦

  NTT物性科学基礎研究所

• 斉藤 正

  NTT物性科学基礎研究所

• 椿 光太郎

  NTT物性科学基礎研究所

• 前田 就彦

  NTTフォトニクス研究所

• 椿 光太郎

  東洋大学工学部

• 齋藤 正

  NTT物性科学基礎研究所

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