AlGaN系紫外発光ダイオード : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
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概要
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The formation of the GaN/AlGaN heterointerfaces, the internal polarization field of GaN/AlGaN quantum well, polarization controls in the LED device design, and the successful fabrication of a highly efficient AlGaN-based UV-LED are described. Further, the application of this UV-LED is demonstrated.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2002-07-01
著者
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