Npn型AlGaN/InGaN/GaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い降伏電界
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概要
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Npn型AlGaN/InGaN/GaNヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)を作製し,評価した.このHBTでは,従来のHBTのベース層で用いられていたp型GaNに比べて,室温における抵抗が低く,加工ダメージに強いという特徴を持つp型InGaNをベース層に用いている.また,エミッタ層およびコレクタ層には,それぞれ,バンドギャップの大きなn型AlGaNおよびn型GaNを用いた.エミッタ接地電流一電圧(I-V)特性での降伏電圧は120(V)以上であり,対応する降伏電界強度は2.3(MV/cm)にも達する.この電界強度は,GaNのバンドギャップから期待できる最大電界強度(3.3 (MV/cm))に匹敵する値である.このように高い降伏電界が得られた理由としては,ダメージの少ないp型InGaN層をベース層に用いたことが挙げられる.さらに,エミッタ層のAlGaNがInGaNの結晶欠陥を塞ぎ,ベース層からコレクタ層へのリーク電流が抑制されたことも考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-01-10
著者
-
小林 直樹
日本電信電話株式会社 Nttサイバースペース研究所
-
小林 直樹
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
-
小林 直樹
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
熊倉 一英
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
熊倉 一英
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
-
小林 直樹
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
熊倉 一英
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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