選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)は,高出力用電子デバイスとして期待されているが,今までに報告された窒化物半導体HBTには二つの大きな問題点があった.一つ目の問題点は電流利得が低い(35以下)点であり,もう一つの問題点はエミッタ接地電流-電圧(I-V)特性におけるオフセット電圧が高い(5V程度)点である.この原因としては,HBTを作製する際のエッチングダメージによってベース層のオーミック特性が劣化していることが考えられる.今回,このオーミック特性を改善することを目的として,外部ベース層の選択成長を行ってNpn型GaN/InGaN HBT を作製したところ,エミッタ接地I-V特性が大幅に向上したので報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-08
著者
-
小林 直樹
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
-
小林 直樹
Ntt 物性科学基礎研
-
小林 直樹
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
-
熊倉 一英
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
小林 直樹
電気通信大学量子・物質工学科
-
熊倉 一英
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
-
牧本 俊樹
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
-
熊倉 一英
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
関連論文
- ノルム・角度成分表現による動きベクトルの符号化
- 3p-A-18 AlGaAs/GaAs2次元電子ガスの高磁場高電界における輸送現象
- スプライトを用いたMPEG-4超高圧縮符号化方式 : VideoESPER
- Al_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートをもつチャネルドープAlGaN/GaNヘテロ構造FET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- ダイヤモンドMESFETの高周波特性
- ECRプラズマ成膜SiN,Al_2O_3ナノマスクを利用した低転位GaNの成長(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- [Invited]Npn型窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]Npn型窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Npn型AlGaN/InGaN/GaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い降伏電界
- Npn型AlGaN/InGaN/GaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い降伏電界
- P-GaN/n-AlGaNヘテロ接合ダイオードの容量-電圧特性による分極電荷密度の評価
- 歪InGaN接触層を用いたp-GaNへの低抵抗オーミック接触の形成(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 歪InGaN接触層を用いたp-GaNへの低抵抗オーミック接触の形成(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 高濃度Siドープ窒化アルミニウムからの高いフィールドエミッション電流密度
- Al_Si_xN固溶体形成とフィールドエミッション
- GaN系半導体を用いた光・電子デバイス
- 窒化物ワイドギャップ半導体結晶成長 (特集論文1 窒化物ワイドギャップ半導体電子デバイス)
- 光反射法を用いた窒化ガリウムMOVPE成長のその場観察
- GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性
- 表面光吸収法を用いたステップフリー表面・界面の形成
- STMリソグラフィーによるナノスケールGaAs選択成長
- 29pUF-16 HgBa_2Ca_4Cu_5O_y系におけるジョセフソンプラズマ(29pUF 高温超伝導(輸送現象,光学応答),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 高品質AlN上に成長したGaN-free UV-LED(AlN結晶成長シンポジウム)
- SC-7-10 GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性とFET特性
- GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性
- ファセット成長による半導体形状制御の研究 (特集論文 ファセットレ-ザ)
- 窒化アルミニウム系LEDの研究開発 (マテリアルフォーカス:オプトロニクス より明るく,より低消費電力に駆動させることに貢献する 薄型化,放熱対策など--LEDおよびLEDバックライトユニットの周辺部材の技術トレンド)
- ステップフローMOVPE成長による量子細線
- 30p-Z-13 Si2重原子層ドープGaAs中2次元電子のサブバンド構造
- C-10-10 高品質多結晶ダイヤモンドFETの作製と特性評価(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 参照画像更新をベースとしたリアルタイムエラー耐性ビデオオブジェクト配信方式
- 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- NBCO薄膜の表面抵抗測定とYBCO薄膜との比較(エレクトロニクス・一般)
- 2006年国際固体素子・材料コンファレンス(SSDM 2006)報告
- SiC基板上に作製した窒化物半導体デバイスの現状と将来 (特集:次世代半導体デバイスとしてのSiC単結晶を用いたオプトメカトロニクス技術)
- 新しい窒化物半導体デバイス (特集 新材料とその新機能デバイスへの応用)
- 深紫外光源のための窒化物半導体の開発
- 選択成長マイクロファセットを用いたGaN系面発光型レーザー
- 未来を拓く先端技術 世界最短波長210nmの遠紫外発光ダイオード
- C-10-11 ダイヤモンドFETの高周波特性と等価回路解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 窒化アルミニウムを用いた210nm遠紫外LED (特集 材料からのブレークスルー)
- 高温・高出力動作Pnp AlGaN/GaN HBTs(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高温・高出力動作Pnp AlGaN/GaN HBTs(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高温・高出力動作Pnp AlGaN/GaN HBTs(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-10-11 ダイヤモンドMESFETの1GHz,2W/mm級電力動作(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- ナイトライド系結晶成長技術とヘテロ接合バイポーラトランジスタへの応用
- ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- Siドープ AlNおよび高Al組成AlGaNのn型伝導性制御(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- SiドープAlNおよび高Al組成AlGaNのn型伝導性制御(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- Al_Si_xN固溶体形成とフィールドエミッション
- 窒素表面パッシベーションとSTMナノメートル加工によるGaAs選択成長
- 窒化したGaAs表面のSTM加工を用いたGaAsナノ構造の選択成長
- 高真空STMによるMOCVD成長の表面拡散とステップバンチング機構の解明
- STMによる微傾斜基板上MOCVD成長GaAsのステップ構造の観察
- CdSe量子ドットを吸着したフォトニックTiO_2電極の光音響スペクトルと光電変換特性(非線形音響/一般)
- 選択成長法により形成した六角柱ファセットレーザー
- ITU-T SG16の動向
- 構造解析的手法に基づく均等色空間構成方法(カラーマネジメントおよび色彩工学)
- 窒化物半導体への高濃度p型不純物ドーピングとヘテロ接合バイポーラトランジスタへの応用 (特集論文1 窒化物ワイドギャップ半導体電子デバイス)
- 簡易形画像入力方式"PALS"における画像歪の検討
- 層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 3a-D1-3 極微細N-AlGaAs/GaAs 2DEG細線の磁気抵抗(3a D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトロン),半導体)