小林 直樹 | 電気通信大学量子・物質工学科
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概要
関連著者
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小林 直樹
電気通信大学量子・物質工学科
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小林 直樹
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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小林 直樹
Ntt 物性科学基礎研
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小林 直樹
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
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熊倉 一英
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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熊倉 一英
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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熊倉 一英
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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俵 毅彦
NTT物性科学基礎研究所
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豊田 太郎
電気通信大学
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俵 毅彦
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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斉藤 正
NTT物性科学基礎研究所
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沈 青
電気通信大学量子・物質工学科
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佐藤 彰
電通大量子・物質工
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豊田 太郎
電気通信大学 電気通信学部 量子・物質工学科
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Diguna Lina
電気通信大学量子・物質工学科
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前田 就彦
NTTフォトニクス研究所
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椿 光太郎
東洋大学工学部
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沈 青
電通大量子・物質工:jstさきがけ
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Shen Qing
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Engineering University Of Tokyo
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佐藤 彰
電気通信大学量子・物質工学科
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石原 大志
電気通信大学量子・物質工学科
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沈 青
電気通信大学:jstさきがけ
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小林 直樹
電気通信大学量子・物質工学科:電気通信大学量子・コヒーレント光科学専攻
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齋藤 正
NTT物性科学基礎研究所
著作論文
- Al_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートをもつチャネルドープAlGaN/GaNヘテロ構造FET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- [Invited]Npn型窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]Npn型窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- CdSe量子ドットを吸着したフォトニックTiO_2電極の光音響スペクトルと光電変換特性(非線形音響/一般)