椿 光太郎 | 東洋大学工学部

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概要

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• 同名の論文著者
• 東洋大学工学部の論文著者

関連著者

• 椿 光太郎

  東洋大学工学部

• 小林 直樹

  日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所

• 小林 直樹

  Ntt 物性科学基礎研

• 小林 直樹

  日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 前田 就彦

  NTTフォトニクス研究所

• 斉藤 正

  NTT物性科学基礎研究所

• TSUBAKI Kotaro

  NTT Basic Research Laboratories, Physical Science Laboratory

• Tsubaki Kotaro

  NTT Basic Research Laboratories, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0198, Japan

• 齋藤 正

  NTT物性科学基礎研究所

• 西田 敏夫

  Ntt物性基礎研究所

• 椿 光太郎

  NTT基礎研究所

• 本多 隆

  NTT基礎研究所

• 小林 直樹

  NTT物性科学基礎研究所

• 前田 就彦

  NTT物性科学基礎研究所

• 椿 光太郎

  NTT物性科学基礎研究所

• 椿 光太郎

  Ntt基礎研

• 佐々木 智

  NTT基礎研

• 樽茶 清悟

  NTT基礎研

• Nishida T

  Ntt Basic Res. Lab. Kanagawa Jpn

• 樽茶 清吾

  科技団創造:東大理:ntt物性基礎研

• Nishida T

  Nara Inst. Sci. And Technol. Nara Jpn

• KOBAYASHI Naoki

  NTT Basic Research Laboratories

• Nishida T

  Nara Inst. Sci. And Technol. (naist) Nara Jpn

• Maeda Narihiko

  Ntt Corp. Atsugi‐shi Jpn

• Maeda Narihiko

  Ntt Basic Research Laboratories

• Maeda Narihiko

  Institute For Solid State Physics University Of Tokyo

• Nishida T

  Ntt Basic Research Laboratories

• Nishida Toshio

  Ntt Basic Research Laboratories Physical Science Laboratory

• Nishida Toshio

  Ntt Basic Research Laboratories

• Saitoh T

  Faculty Of Technology Tokyo University Of Agriculture And Technology

• Saitoh T

  Ntt Basic Research Laboratories Physical Science Laboratory

• Kobayashi N

  The University Of Electro-communications Department Of Applied Physics And Chemistry

• Saitoh T

  Semiconductor Device Group Advanced Devices Development Center Matsushita Electric Industrial Co. Lt

• SAITOH Tadashi

  NTT Basic Research Laboratories, Physical Science Laboratory

• Tsubaki Kotaro

  Musashino Electrical Communication Laboratory

• Saitoh Tadashi

  Ntt Basic Research Laboratories

• Kobayashi Naoki

  Ntt Basic Laboratories Ntt Corporation

• 俵 毅彦

  NTT物性科学基礎研究所

• 杉村 陽

  Ntt基礎研究所

• 杉村 陽

  NTT武蔵野通研

• 椿 光太郎

  NTT武蔵野通研

• 小林 直樹

  NTT武蔵野通研

• 澤田 嗣郎

  東京大学

• 佐々木 智

  Nit物性基礎研

• 樽茶 清悟

  Ntt物基礎研:東大

• 都倉 康弘

  Ntt基礎研

• 佐々木 智

  Ntt物性科学基礎研究所:東北大学大学院理学研究科

• 俵 毅彦

  日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所

• Liu Robert.C

  Stanford大

• 樽茶 清吾

  NTT基礎研究所

• 澤田 嗣郎

  東大院工

• Robert C.liu

  Stanford大

• 小林 直樹

  電気通信大学量子・物質工学科

• Oe Kunishige

  Musashino Electrical Communication Laboratory Nippon Telegraph And Telephone Public Corporation

• Tsuda Shinya

  R&d Headquarters Sanyo Electric Co. Ltd.

• 椿 光太郎

  NTT電気通信研究所

• 都倉 康弘

  NTT電気通信研究所

• 安藤 精後

  NTT電気通信研究所

• 本多 隆

  NTT電気通信研究所

• 高梨 良文

  NTT電気通信研究所

• HONDA Takashi

  NTT Basic Research Laboratories

• Itoh Masayuki

  Ntt Basic Research Laboratories

• Ando Seigo

  Musashino Electrical Communication Laboratory Nippon Telegraph And Telephone Public Corporation

• KOBAYASHI Naoki

  Musashino Electrical Communication Laboratory Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation

• Sugiyama Koichi

  Musashino Electrical Communication Laboratory Nippon Telegraph And Telephone Public Corporation

• 佐々木 智

  Ntt物性基礎研:東北大院理

• Oe Kunishige

  Musashino Electrical Communication Laboratory

• Sugiyama Koichi

  Musashino Electrical Communication Laboratory

• Fukui Takashi

  Musashino Electrical Communication Laboratory Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation

• Fukui Takashi

  Musashino Electrical Communication Laboratories N.t.t.

• Kobayashi Naoki

  Musashino Electrical Communication Laboratory Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation

• Kobayashi Naoki

  Musashino Electric Communication Laboratory Nippon Telegraph And Telephone Public Corporation

• SUGIYAMA Koichi

  Musashino Electrical Communication Laboratory, Nippon Telegraph and Telephone Public Corporation

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著作論文

• 3p-A-18 AlGaAs/GaAs2次元電子ガスの高磁場高電界における輸送現象
• 31a-Q-6 直列ポイントコンタクトの非平衡電流雑音特性II
• Al_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートをもつチャネルドープAlGaN/GaNヘテロ構造FET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性
• SC-7-10 GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性とFET特性
• GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性
• 直列ポイントコンタクトの非平衡電流雑音特性
• 28a-F-6 周期ポテンシャル下の二次元電子ガスの強磁場伝導
• 29p-J-4 半導体微細構造の量子輸送
• Superior Pinch-Off Characteristics at 400℃ in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors
• Enhanced Electron Mobility in AlGaN/InGaN/AlGaN Double-Heterostructures by Piezoelectric Effect
• Surface Damage in InP Induced during SiO_2 Deposition by rf Sputtering
• AlGaN/GaNヘテロ構造FET (特集論文1 窒化物ワイドギャップ半導体電子デバイス)
• Selectively-Doped GaAs/n-AlGaAs Heterostructures Grown by MOCVD
• Carrier Concentration in Quantum Wires Fabricated by Ractive Ion Beam Etching
• Sub-Micron Vertical Double Magnetic Barrier Device

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