樽茶 清悟 | NTT基礎研
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概要
関連著者
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樽茶 清悟
NTT基礎研
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本多 隆
NTT基礎研究所
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都倉 康弘
Ntt基礎研
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樽茶 清悟
Ntt物基礎研:東大
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佐々木 智
Nit物性基礎研
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佐々木 智
NTT基礎研
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Austing David
NTT基礎研
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樽茶 清吾
科技団創造:東大理:ntt物性基礎研
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佐久 規
NTT基礎研究所
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平山 祥郎
Ntt基礎研
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佐久 規
NTT-AT
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村木 康二
NTT基礎研
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Austing David
Nrc
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Austing D.
Nrc
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高垣 雪彦
パウル・ドルーデ固体電子研
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高垣 雪彦
NTT基礎研
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Austing David
Ntt基礎研究所
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藤澤 利正
NTT物性基礎研
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平山 祥郎
東北大:sorst-jstf
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藤澤 利正
東工大極低温セ
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佐々木 智
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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佐々木 智子
NTT基礎研
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藤澤 利正
NTT基礎研究所
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藤沢 利正
Ntt 基礎研
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平山 祥郎
東北大理
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Austing D.
NTT基礎研
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佐々木 智
Ntt物性科学基礎研究所:東北大学大学院理学研究科
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椿 光太郎
NTT基礎研究所
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Austing D.g
Ntt基礎研究所
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Austing David
Ntt物性科学基礎研
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椿 光太郎
東洋大学工学部
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Kouwenhoven Leo
デルフト工科大学
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Kouwenhoven Leo
デルフト工科大
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椿 光太郎
Ntt基礎研
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佐々木 智
Ntt物性基礎研:東北大院理
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三浦 登
物性研
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平山 祥郎
Ntt物性基礎研:東北大理:sorst-jst
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山本 喜久
ERATO Quantum Fluctuation Project, Ginzton Laboratory, Stanford University
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安藤 恒也
物性研
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岩佐 義宏
物性研
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Franceschi S.
デルフト工大
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Elzerman J.
デルフト工大
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Wiel W.
デルフト工大
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Kouwenhoven L.
デルフト工大
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David G.Austing
NTT基礎研
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David Guy
Ntt基礎研究所
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Liu Robert
Erato Quantum Fluctuation Project Ginzton Laboratory Stanford University
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Robert C.liu
Stanford大
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堀越 佳治
NTT基礎研究所
-
堀越 佳治
早大理工
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田村 浩之
NTT LSI研究所
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岡本 紘
NTT基礎研
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Kouwenhoven Leo
Erato:デルフト工科大
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堀越 佳治
Ntt基礎研
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Odintsov A.a.
デルフト工科大
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A Odintsov
デルフト工科大
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Odintsov A.
デルフト工科大
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都倉 康弘
NTT基礎研究所
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樽茶 清悟
NTT基礎研究所
著作論文
- 25pK-1 縦型半導体量子ドットにおける近藤効果
- 31a-ZB-3 縦型半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果 : 強結合ドットの場合
- 31a-ZB-3 縦型半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果:強結合ドットの場合
- 5a-J-10 ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音
- 5a-N-4 半導体人工原子の励起状態の単一電子トンネルスペクトロスコピー
- 25p-YG-1 半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果
- 31a-Q-6 半導体人工原子におけるゼーマン効果
- 31a-Q-6 半導体人工原子におけるゼーマン効果
- 直列ポイントコンタクトの非平衡電流雑音特性
- 29p-M-13 2重障壁共鳴トンネルダイオードにおける非平衡電流雑音特性
- 1p-Q-1 半導体人工分子の量子結合と電子構造
- 2p-Q-6 朝永ラッティンジャー液体におけるブラッグ反射
- 半導体ナノ構造の量子輸送 - 最近の研究動向 -
- 有限長の朝永ラッティンジャー流体におけるウムクラップ散乱
- 有限長の朝永ラッティンジャー流体におけるウムクラップ散乱
- 5a-J-11 μSQUIDスキャンによる細線中のバリスティック伝導の観測
- 5a-J-11 μSQUIDスキャンによる細線中のバリスティック伝導の観測
- 29a-L-9 バリスティック量子細線における量子化コンダクタンスのブレークダウン
- 29a-L-9 バリスティック量子細線における量子化コンダクタンスのブレークダウン
- 13a-K-9 磁場下の一次元細線におけるバリスティック伝導
- 12p-DF-4 小数の電子を含む量子ドットの単電子トンネル
- 13a-K-9 磁場下の一次元細線におけるバリスティック伝導
- 26p-ZJ-6 微小ダイオードにおける零次元準位共鳴トンネル効果と単電子トンネル
- 5a-J-10 ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音
- 26a-ZB-12 高移動度二次元電子ガスにおけるバリスティック伝導
- 1次元共鳴トンネルダイオードにおけるmagnetotunneling
- 異方的量子ドットにおけるAddition Spectra
- メゾスコピック電子衝突における量子干渉効果(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 29p-M-11 非鳴形単電子トランジスタの量子効果と負性微分抵抗
- 半導体ナノ構造の量子輸送 : 最近の研究動向
- 6p-N-4 量子ドット構造における単一電子トンネルと単一光子放出
- 6p-N-4 量子ドット構造における単一電子トンネルと単一光子放出
- 量子ホール領域におけるスピン分離
- 量子ホール領域におけるスピン分離
- 伝導でみた半導体人工原子のフント則
- H. Mizuta and T. Tanoue, The Physics and Applications of Resonant Tunneling Diodes, Combridge Univ. Press, Cambridge, 1995, xii+236p., 23×15cm, 8,750円 [大学院生・専門向]
- 3p-YE-3 微小縦形トンネルトランジスタの単電子トンネル効果
- 29p-J-4 半導体微細構造の量子輸送
- 28p-R-2 非対称二層電子系における抵抗ピークの分裂
- 28p-R-2 非対称二層電子系における抵抗ピークの分裂
- 3p-YH-5 少数電子を含むドットの量子効果と電子間相互作用(3pYH 低温(量子ドット・多体効果),低温)
- 29a-FC-3 GaAs-AlGaAs超格子の価電子帯構造(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
- 31a-YA-6 細線におけるノンユニバーサルな弾道伝導(31aYA 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック,バリスティック伝導),低温)