28p-R-2 非対称二層電子系における抵抗ピークの分裂
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
25pK-1 縦型半導体量子ドットにおける近藤効果
-
31a-ZB-3 縦型半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果 : 強結合ドットの場合
-
31a-ZB-3 縦型半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果:強結合ドットの場合
-
5a-J-10 ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音
-
6a-B1-8 GaAs-AlGaAs極微構造における非対称磁気抵抗のゆらぎ
-
28a-Q-7 選択ドープGaAs-AlGaAs細線の電気伝導
-
26p-ZB-3 GaAs細線における位相コヒーレンス長
-
25p-ZB-4 バリスティック細線における電子散乱
-
3p-ZE-9 GaAs/AlGaAs量子細線の磁気抵抗振動
-
27p-YN-3 p型変調ドープ単一ヘテロ構造の磁気フォトルミネッセンス
-
29p-ZK-11 アンチドット構造上の電子ピンボール
-
5a-N-4 半導体人工原子の励起状態の単一電子トンネルスペクトロスコピー
-
20aYH-6 量子ドットやドット列におけるフラクタル的な磁気抵抗
-
27aTC-10 量子ドット列における低温磁気抵抗のフラクタル性
-
25p-YG-1 半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果
-
31a-Q-6 半導体人工原子におけるゼーマン効果
-
31a-Q-6 半導体人工原子におけるゼーマン効果
-
直列ポイントコンタクトの非平衡電流雑音特性
-
29p-M-13 2重障壁共鳴トンネルダイオードにおける非平衡電流雑音特性
-
24pK-11 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線におけるコンダクタンスのバイアス電圧依存性
-
26aD-9 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線のコンダクタンス特性
-
29a-ZB-3 単一モード量子細線の非線形コンダクタンス
-
29a-ZB-3 単一モード量子細線の非線形コンダクタンス
-
1p-Q-1 半導体人工分子の量子結合と電子構造
-
2p-Q-6 朝永ラッティンジャー液体におけるブラッグ反射
-
半導体ナノ構造の量子輸送 - 最近の研究動向 -
-
有限長の朝永ラッティンジャー流体におけるウムクラップ散乱
-
有限長の朝永ラッティンジャー流体におけるウムクラップ散乱
-
5a-J-11 μSQUIDスキャンによる細線中のバリスティック伝導の観測
-
5a-J-11 μSQUIDスキャンによる細線中のバリスティック伝導の観測
-
29a-L-9 バリスティック量子細線における量子化コンダクタンスのブレークダウン
-
29a-L-9 バリスティック量子細線における量子化コンダクタンスのブレークダウン
-
13a-K-9 磁場下の一次元細線におけるバリスティック伝導
-
12p-DF-4 小数の電子を含む量子ドットの単電子トンネル
-
13a-K-9 磁場下の一次元細線におけるバリスティック伝導
-
26p-ZJ-6 微小ダイオードにおける零次元準位共鳴トンネル効果と単電子トンネル
-
5a-J-10 ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音
-
26a-ZB-12 高移動度二次元電子ガスにおけるバリスティック伝導
-
1次元共鳴トンネルダイオードにおけるmagnetotunneling
-
異方的量子ドットにおけるAddition Spectra
-
メゾスコピック電子衝突における量子干渉効果(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
-
29p-M-11 非鳴形単電子トランジスタの量子効果と負性微分抵抗
-
半導体ナノ構造の量子輸送 : 最近の研究動向
-
6p-N-4 量子ドット構造における単一電子トンネルと単一光子放出
-
6p-N-4 量子ドット構造における単一電子トンネルと単一光子放出
-
量子ホール領域におけるスピン分離
-
量子ホール領域におけるスピン分離
-
伝導でみた半導体人工原子のフント則
-
H. Mizuta and T. Tanoue, The Physics and Applications of Resonant Tunneling Diodes, Combridge Univ. Press, Cambridge, 1995, xii+236p., 23×15cm, 8,750円 [大学院生・専門向]
-
3p-YE-3 微小縦形トンネルトランジスタの単電子トンネル効果
-
29p-J-4 半導体微細構造の量子輸送
-
29p-ZK-10 GaAs/AlGaAs細線における非局所的伝導のゲート制御
-
26a-ZB-9 GaAs/AlGaAs細線における非局所的伝導
-
非局所的配置におけるGaAs/AlGaAs量子細線のシュブニコフ・ド・ハース効果
-
30p-TB-8 GaAs/AlGaAs量子細線におけるバリスティック伝導電子の非局所的シュビニコフ・ド・ハース効果
-
GaAs-AlGaAs電子導波路における伝達抵抗II
-
30p-TB-7 GaAS-AlGaAS電子導波路における伝達抵抗
-
超微細加工と電子波デバイス
-
電子ビ-ム露光とドライエッチング (量子効果デバイスのための微細プロセス技術(技術ノ-ト))
-
28p-R-2 非対称二層電子系における抵抗ピークの分裂
-
28p-R-2 非対称二層電子系における抵抗ピークの分裂
-
31p-YA-8 十字路細線中での複合フェルミ粒子のバリスティック伝導
-
微細構造中の複合フェルミ粒子の弾道伝導
-
パラボリックな磁場がかかった細線中の電子状態
-
27a-X-9 パラボリックな磁場がかかった細線中の電子状態
-
28pYS-2 2層系の多彩な量子ホール現象 : 層間コヒーレンス, 擬スピン, スカーミオン
-
28pYS-2 2層系の多彩な量子ホール現象 : 層間コヒーレンス, 擬スピン, スカーミオン
-
GaAs-AlGaAs量子細線中の量子輸送現象
-
8a-N-13 バックゲート誘起二次元電子ガスの強磁場中での伝導特性
-
8a-N-13 バックゲート誘起二次元電子ガスの強磁場中での伝導特性
-
28p-R-1 二次元電子、三次元正孔間の磁場中での相互作用
-
28p-R-1 二次元電子、三次元正孔間の磁場中での相互作用
-
27aWE-7 量子ドット系におけるフラクタル的磁気伝導現象(27aWE 局在,量子カオス,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
-
3p-YH-5 少数電子を含むドットの量子効果と電子間相互作用(3pYH 低温(量子ドット・多体効果),低温)
-
29a-FC-3 GaAs-AlGaAs超格子の価電子帯構造(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
-
31a-YA-6 細線におけるノンユニバーサルな弾道伝導(31aYA 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック,バリスティック伝導),低温)
-
2p-YH-9 超伝導量子ポイントコンタクトにおける伝導度量子化(2pYH 低温(超伝導ハイブリッド構造),低温)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク