31a-ZB-3 縦型半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果 : 強結合ドットの場合

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1999-03-15

著者

• 佐々木 智

  Nit物性基礎研

• 都倉 康弘

  Ntt基礎研

• 佐々木 智

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 樽茶 清悟

  NTT基礎研

• 佐々木 智子

  NTT基礎研

• Austing David

  NTT基礎研

• 村木 康二

  NTT基礎研

• Austing David

  Nrc

• Austing D.

  Nrc

関連論文

• 19pWF-7 軌道縮退のマルチゲート操作による近藤効果の変調(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHV-2 静電結合した並列2重量子ドットにおける近藤効果(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 3p-F-1 零磁場下の2DEG細線の電子状態
• 25aXG-7 横結合二重量子ドットにおけるファノ-近藤効果(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 30aYA-8 縦型横結合直列ドットのスタビリティダイアグラムとスピン効果(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 24aWH-6 異なるg因子をもつ2重量子ドットにおけるスピン依存共鳴トンネル(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 29pXB-3 軌道対称性の操作によるD-D,S-Tの近藤効果の変調(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 14pYB-12 人工分子の分子相に対する傾斜磁場効果(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
• 29aYH-6 人工原子における高スピン状態の近藤効果
• 18pYJ-5 半導体人工分子の電子状態と横磁場効果
• 18aYJ-6 縦型円形量子ドットにおける準位交差と近藤効果
• 27pTB-4 半導体人工分子の磁場による少数電子の状態遷移
• 25pSA-1 半導体人工分子の磁場による状態遷移
• 量子ドットの近藤効果(近藤効果はめぐる : 近藤効果40周年)
• 22pTH-1 少数電子 2 重量子ドットの高周波操作
• 半導体量子ドットにおける近藤効果
• 27pTB-2 少数電子を含む人工原子の近藤効果とコトンネリング
• 量子ドットの近藤効果 (特集 物性科学の最新動向)
• 25aYA-4 量子ドット原子における近藤効果
• 25pK-1 縦型半導体量子ドットにおける近藤効果
• トピックス 縦型量子ドットにおける新型近藤効果
• 31a-ZB-3 縦型半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果 : 強結合ドットの場合
• 31a-ZB-3 縦型半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果:強結合ドットの場合
• 28aTX-10 細線型閉じ込めによるスカーミオン由来の低周波電子スピン揺らぎの抑制(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aYF-4 並列量子ポイントコンタクトにおける量子干渉の有限バイアス効果(22aYF 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-3 半導体量子ドットの近藤効果における電極のスピン蓄積効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-2 横結合2重量子ドットにおける近藤-ファノ効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aWJ-3 並列量子ポイントコンタクトにおけるAharonov-Bohm振動(量子細線,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aWH-9 量子ドットの近藤効果におけるスピン偏極電流注入効果(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTH-9 ν=2/3分数量子Hall状態を用いた細線中での動的核スピン偏極(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTA-6 独立コンタクトを有する2重量子ドット-量子細線結合系の電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTA-5 電子フォーカシングにより電流注入された量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19pWF-8 2重量子ドット-量子細線結合系におけるファノ-近藤効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aYA-10 横型量子ドットにおけるスピン緩和のパルス測定(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 5a-J-10 ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音
• 30p-X-4 サイクロトロン共鳴磁場での遠赤外光伝導
• 24pWQ-8 GaAs横型2重量子ドットにおける基底状態遷移に伴う動的核スピン偏極(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 3p-B1-2 GaAs表面原子ステップを利用した超格子
• 5a-N-4 半導体人工原子の励起状態の単一電子トンネルスペクトロスコピー
• 半導体量子ドットにおける近藤効果
• 25aYA-4 量子ドット原子における近藤効果
• 25p-YG-1 半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果
• 25p-YG-1 半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果
• 31a-Q-6 半導体人工原子におけるゼーマン効果
• 31a-Q-6 半導体人工原子におけるゼーマン効果
• 直列ポイントコンタクトの非平衡電流雑音特性
• 29p-M-13 2重障壁共鳴トンネルダイオードにおける非平衡電流雑音特性
• 24p-M-17 変調ドープ分数原子層超格子構造における磁気的トンネリング効果
• 28a-F-6 周期ポテンシャル下の二次元電子ガスの強磁場伝導
• 28aYS-7 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線における磁気ミニバンドとコンダクタンス振動
• 25pK-2 縦型2重量子ドットにおけるドット間トンネルのスピンブロッケード
• 24pK-11 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線におけるコンダクタンスのバイアス電圧依存性
• 26pD-5 磁場中の人工原子におけるクーロン直接項と交換項 : フント第一則との関係
• 26aD-9 短周期ポテンシャル変調を持つ量子細線のコンダクタンス特性
• 31p-A-2 弱結合縦型二重ドットの電気伝導
• 29a-ZB-3 単一モード量子細線の非線形コンダクタンス
• 29a-ZB-3 単一モード量子細線の非線形コンダクタンス
• 27p-YG-8 縦型2重ドットにおけるトンネル電流の抑制
• 27p-YG-7 弱結合2重量子ドットのトンネルにおける選択則
• 1p-Q-1 半導体人工分子の量子結合と電子構造
• 2p-Q-6 朝永ラッティンジャー液体におけるブラッグ反射
• 半導体ナノ構造の量子輸送 - 最近の研究動向 -
• 有限長の朝永ラッティンジャー流体におけるウムクラップ散乱
• 有限長の朝永ラッティンジャー流体におけるウムクラップ散乱
• 30p-X-14 異方的な散乱による輸送
• 5a-J-11 μSQUIDスキャンによる細線中のバリスティック伝導の観測
• 5a-J-11 μSQUIDスキャンによる細線中のバリスティック伝導の観測
• 29a-L-9 バリスティック量子細線における量子化コンダクタンスのブレークダウン
• 29a-L-9 バリスティック量子細線における量子化コンダクタンスのブレークダウン
• 13a-K-9 磁場下の一次元細線におけるバリスティック伝導
• 12p-DF-4 小数の電子を含む量子ドットの単電子トンネル
• 13a-K-9 磁場下の一次元細線におけるバリスティック伝導
• 27a-P-9 バリスティックウインドウにより結合した並列細線における干渉効果
• 26p-ZJ-6 微小ダイオードにおける零次元準位共鳴トンネル効果と単電子トンネル
• 26a-ZB-10 磁場、非対称構造における量子ポイントコンタクトの伝導特性
• 5a-J-10 ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音
• 26a-ZB-12 高移動度二次元電子ガスにおけるバリスティック伝導
• 1次元共鳴トンネルダイオードにおけるmagnetotunneling
• 異方的量子ドットにおけるAddition Spectra
• C-10-11 ダイヤモンドMESFETの1GHz,2W/mm級電力動作(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• メゾスコピック電子衝突における量子干渉効果(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
• 24pWQ-4 擬スピン近藤効果に対する量子ポイントコンタクト検出のバックアクション(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 29p-M-11 非鳴形単電子トランジスタの量子効果と負性微分抵抗
• 半導体ナノ構造の量子輸送 : 最近の研究動向
• 6p-N-4 量子ドット構造における単一電子トンネルと単一光子放出
• 6p-N-4 量子ドット構造における単一電子トンネルと単一光子放出
• 量子ホール領域におけるスピン分離
• 量子ホール領域におけるスピン分離
• 伝導でみた半導体人工原子のフント則
• 27pHD-8 2重量子ドット中での不均一な動的核スピン偏極に伴う伝導の増大(27pHD 若手奨励賞・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTL-5 InGaAs量子ポイントコンタクトを用いたRashbaスピン軌道相互作用による電気的スピン生成(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTL-3 InAsナノワイアにおけるラシュバスピン軌道相互作用のゲート電界制御(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aTL-11 グラフェン ランダウ ファン ダイアグラムに現れる界面準位の影響(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 促進障壁層を有する AlGaN/GaN E-mode HFET の作製
• 促進障壁層を有する AlGaN/GaN E-mode HFET の作製
• 促進障壁層を有する AlGaN/GaN E-mode HFET の作製
• 31a-YA-6 細線におけるノンユニバーサルな弾道伝導(31aYA 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック,バリスティック伝導),低温)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク