促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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概要
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リセスゲート構造を用いたE-mode用のAlGaN/GaNヘテロ構造FET(HFET)において、高電流化およびデバイス作製上有利なAlGaN障壁層構追(促進障壁層構造)を考案し、デバイスの作製と評価を行った。促進障壁層構造は、AlGaN障壁層中にAl組成のより高い薄層AlGaN層を挿入した障壁層構造で、挿入層によって電子濃度が増大されるという効果が確認された。促進障壁層を用いたリセスゲート構造において、リセス領域において挿入層が除去された構造を用いることにより、リセス領域と非リセス領域との電子濃度差が拡大され、高電流化およびデバイス作製上有利となる。このような促進障壁層構造を、E-mode動作に必要な電子の空乏化に有利なダブルヘテロ構造のGaNチャネルに対して適用したMIS構造(絶縁ゲート構造)のデバイスを作製したところ、しきい値+3.6V、ドレイン電流密度620mA/mmなる良好なE-mode動作が得られた。
- 2011-11-10
著者
-
廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
前田 就彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
佐々木 智
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
-
佐々木 智子
NTT基礎研
-
原田 裕一
Ntt物性科学基礎研究所
-
原田 裕一
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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