直接ギャップ半導体ヘテロ接合によるトポロジカル絶縁体の実現(機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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直接ギャップ半導体であるInAsとGaSbを用いて、そのヘテロ接合により2次元トポロジカル絶縁体を実現した。非局所抵抗測定において隣り合った電極ペア間の抵抗比が電流端子の配置に依存しないことから、電気伝導がトポロジカル絶縁体の特徴であるエッジチャネルに支配されていることを示した。本手法を用いることで、エッジチャネルの量子化が不完全な場合でも、エッジチャネルの存在とトポロジカル絶縁の実現を証明することができる。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2014-02-20
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