原田 裕一 | NTT物性基礎研
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概要
関連著者
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原田 裕一
NTT物性基礎研
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村木 康二
NTT物性基礎研
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原田 裕一
NTT基礎研究所
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赤崎 達志
NTT物性基礎研
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小野満 恒二
NTT物性基礎研
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鈴木 恭一
NTT物性基礎研
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原田 裕一
Ntt物性科学基礎研究所
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高柳 英明
NTT物性基礎研
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高柳 英明
NTT基礎研究所
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高柳 英明
東理大:物材機構:jst-crest
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佐々木 智
NTT物性基礎研
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都倉 康弘
NTT物性基礎研
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田村 浩之
NTT物性基礎研
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関根 佳明
NTT物性研
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山口 真澄
NTT物性基礎研
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山口 浩司
Ntt物性基礎研
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関根 佳明
NTT-BRL
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平山 祥郎
NTT物性基礎研
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Tzalenchuk A.
NPL
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鈴木 恭一
東北大・科研
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鈴木 恭一
Ntt基礎研究所
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佐久 規
NTT-AT
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杉山 弘樹
Nttフォトニクス研
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佐々木 智
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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佐々木 智子
NTT基礎研
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Richter A.
Ntt物性基礎研:crest-jst
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寒川 哲臣
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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Richter Andreas
NTT物性科学基礎研究所
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寒川 哲臣
NTT物性基礎研
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都倉 康弘
Icorp:ntt物性基礎研
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Ntt物性科学基礎研究所
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Zhang Guoqiang
NTT物性基礎研
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関根 佳明
Ntt物性基礎研
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鈴木 恭一
Ntt物性科学基礎研究所
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舘野 功太
Ntt物性基礎研
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Ntt物性基礎
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小野満 恒二
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Zhang Guoqiang
Ntt物性基礎
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都倉 康弘
ICORP-JST:NTT物性基礎研
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村木 康二
NTT物性科学基礎研究所
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後藤 秀樹
NTT物性基礎研
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小野 真証
NTT物性基礎研
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章国 強
NTT物性基礎研
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Cox David
英国物理研
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入江 宏
NTT物性基礎研
著作論文
- 20pHY-10 超伝導共振器における共振周波数の温度依存性(20pHY 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 29aYH-4 パターン形成表面ゲートにより制御された半導体量子ドット
- 19aYH-4 メゾスコピックSNSジョセフソン接合における異常な超伝導電流の振る舞い
- 微小ジョセフソン接合での位相/電荷制御
- 微小 Josephson 接合での電荷/位相のスクィージング
- 超伝導単一電子トランジスタでの臨界電流の振る舞い
- 30p-K-5 微小ジョセフソン接合におけるクーパー対トンネリング
- 29p-M-10 超伝導単一電子トランジスタにおけるコヒーレントクーパー対トンネリング
- 26aHG-8 InAs/GaSbヘテロ構造の両面ゲート制御 : トポロジカル絶縁領域の実現に向けて(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTL-3 InAsナノワイアにおけるラシュバスピン軌道相互作用のゲート電界制御(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aBJ-11 InAs/GaSbトポロジカル絶縁領域の伝導特性(25aBJ トポロジカル絶縁体(物質探索,巨大Rashba系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aXQ-3 InAs/GaSbトポロジカル絶縁領域の伝導特性II : バックゲートの効果(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pDD-7 歪ませて張り付けた単一InPナノワイヤの発光特性(量子井戸・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aAU-5 アンドレーエフ反射を用いたInGaAs量子ポイントコンタクトにおけるスピン偏極効果の検証(27aAU 量子細線・量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 直接ギャップ半導体ヘテロ接合によるトポロジカル絶縁体の実現(機能ナノデバイス及び関連技術)