佐々木 智 | 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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概要
関連著者
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佐々木 智
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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佐々木 智子
NTT基礎研
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佐々木 智
Nit物性基礎研
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佐々木 智
NTT物性基礎研
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村木 康二
NTT物性基礎研
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天羽 真一
ICORP-JST
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廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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前田 就彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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Austing David
NTT基礎研
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Austing David
Nrc
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Austing D.
Nrc
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原田 裕一
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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樽茶 清吾
科技団創造:東大理:ntt物性基礎研
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天羽 真一
東大理
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都倉 康弘
Ntt基礎研
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佐々木 智
Ntt物性科学基礎研究所:東北大学大学院理学研究科
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原田 裕一
Ntt物性科学基礎研究所
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都倉 康弘
NTT物性基礎研
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大野 圭司
東大理
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樽茶 清悟
東大理
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大野 圭司
Icorp-jst:理研
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佐々木 智
NTT基礎研
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樽茶 清悟
NTT基礎研
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村木 康二
NTT基礎研
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Austing David
Ntt物性科学基礎研
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羽田野 剛司
ICORP-JST
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久保 敏弘
ICORP-JST
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都倉 康弘
ICORP-JST
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樽茶 清悟
ICORP-JST
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久保 敏弘
Icorp
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岡崎 雄馬
NTT物性科学基礎研究所
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Austing D.
NTT物性基礎研究所
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岡崎 雄馬
Ntt物性科学基礎研究所:東北大学大学院理学研究科
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樽茶 清悟
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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小林 嵩
NTT物性基礎研
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日達 研一
東大理
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Austing D.
Ntt物性基礎研
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小林 嵩
Ntt物性基礎研:東北大理
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日達 研一
NTT物性基礎研
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樽茶 清悟
日本電信電話(株)基礎研究所 材料物性研究部 樽茶グループ
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樽茶 清悟
東大工
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日比野 浩樹
NTT基礎研
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原田 裕一
NTT物性基礎研
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牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
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樽茶 清悟
NTT物性基礎研
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Austing D.
NTT基礎研
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David G.Austing
NTT基礎研
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樽茶 清悟
Ntt 基礎研
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嘉数 誠
Ntt物性科学基礎研究所
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日比野 浩樹
Ntt物性科学基礎研究所
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嘉数 誠
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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寒川 哲臣
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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植田 研二
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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山内 喜晴
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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佐々木 智
NTT 基礎研
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AUSTING David
NTT 基礎研
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都倉 康弘
NTT 基礎研
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村木 康二
NTT 基礎研
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寒川 哲臣
NTT物性基礎研
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都倉 康弘
Icorp:ntt物性基礎研
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イエ ハイタオ
日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
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高瀬 恵子
Ntt物性科学基礎研究所
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日比野 浩樹
Ntt物性基礎研
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嘉数 誠
日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所
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都倉 康弘
Ntt物性科学基礎研究所
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Zhang Guoqiang
NTT物性基礎研
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舘野 功太
Ntt物性基礎研
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田邉 真一
Ntt物性基礎研
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寒川 哲臣
Ntt物性基礎
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高瀬 恵子
Ntt物性基礎研
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Zhang Guoqiang
Ntt物性基礎
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都倉 康弘
ICORP-JST:NTT物性基礎研
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牧本 俊樹
日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所
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牧本 俊樹
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
著作論文
- 19pWF-7 軌道縮退のマルチゲート操作による近藤効果の変調(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHV-2 静電結合した並列2重量子ドットにおける近藤効果(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pXB-3 軌道対称性の操作によるD-D,S-Tの近藤効果の変調(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 18pYJ-5 半導体人工分子の電子状態と横磁場効果
- 18aYJ-6 縦型円形量子ドットにおける準位交差と近藤効果
- 27pTB-4 半導体人工分子の磁場による少数電子の状態遷移
- 25pSA-1 半導体人工分子の磁場による状態遷移
- 半導体量子ドットにおける近藤効果
- 31a-ZB-3 縦型半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果 : 強結合ドットの場合
- 31a-ZB-3 縦型半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果:強結合ドットの場合
- 24pWQ-8 GaAs横型2重量子ドットにおける基底状態遷移に伴う動的核スピン偏極(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 半導体量子ドットにおける近藤効果
- 25p-YG-1 半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果
- 25p-YG-1 半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果
- C-10-11 ダイヤモンドMESFETの1GHz,2W/mm級電力動作(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 24pWQ-4 擬スピン近藤効果に対する量子ポイントコンタクト検出のバックアクション(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 27pHD-8 2重量子ドット中での不均一な動的核スピン偏極に伴う伝導の増大(27pHD 若手奨励賞・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTL-3 InAsナノワイアにおけるラシュバスピン軌道相互作用のゲート電界制御(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTL-11 グラフェン ランダウ ファン ダイアグラムに現れる界面準位の影響(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 促進障壁層を有する AlGaN/GaN E-mode HFET の作製
- 促進障壁層を有する AlGaN/GaN E-mode HFET の作製
- 促進障壁層を有する AlGaN/GaN E-mode HFET の作製