Austing David | Ntt物性科学基礎研

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概要

• 同名の論文著者
• Ntt物性科学基礎研の論文著者

関連著者

• Austing David

  Ntt物性科学基礎研

• Austing David

  NTT基礎研

• Austing D.

  Nrc

• Austing David

  Nrc

• 天羽 真一

  ICORP-JST

• 大野 圭司

  Icorp-jst:理研

• 羽田野 剛司

  ICORP-JST

• 樽茶 清悟

  ICORP-JST

• 都倉 康弘

  NTT物性基礎研

• 大野 圭司

  東大理

• 久保 敏弘

  ICORP-JST

• 都倉 康弘

  ICORP-JST

• 久保 敏弘

  Icorp

• 寺岡 総一郎

  ICORP-JST

• Austing D.

  NRC Canada

• 樽茶 清悟

  東大工

• 樽茶 清悟

  東大物理工

• 樽茶 清悟

  東大理

• 大野 圭司

  理研

• 佐々木 智

  Nit物性基礎研

• 都倉 康弘

  Ntt基礎研

• 樽茶 清悟

  Icorp-jst:東大工

• 天羽 真一

  東大理

• Austing D.

  NTT物性基礎研究所

• 佐々木 智子

  NTT基礎研

• Austing D.

  Ntt物性基礎研

• Tarucha Seigo

  Department Of Applied Physics The University Of Tokyo

• 都倉 康弘

  Ntt物性科学基礎研究所

• 大野 圭司

  東京大学理学系研究科

• 大野 圭司

  東大理:

• 佐々木 智

  NTT物性基礎研

• 泉田 渉

  東北大理

• Austing D.

  NTT基礎研

• 佐々木 智

  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

• 都倉 康弘

  Icorp:ntt物性基礎研

• 大野 圭司

  ICORP-JST

• Gupta J.

  NRC

• 河野 公俊

  理研

• 高橋 諒

  理研

• 佐々木 智

  NTT基礎研

• 樽茶 清悟

  NTT基礎研

• 高橋 諒

  東工大理工:理研

• Austing D.G.

  NTT基礎研

• 天羽 真一

  理研

• Austing D.

  NRC-Canada

• 河野 公俊

  理研:東工大理

• 高橋 諒

  理研:東工大理

• 山口 智弘

  Erato

• 田村 浩之

  NTT物性基礎研

• 寺岡 総一郎

  ERATO SORST

• 佐藤 俊彦

  Erato

• Austing D.G

  National Reseach Council of Canada

• 寺岡 総-郎

  ICORP-JST

• 西 義史

  東大理

• 山口 智宏

  理研

• 天羽 真一

  ERATO-JST

• 大野 圭司

  東大工

• 西 義史

  (株)東芝研究開発センター・LSI基盤技術ラボラトリー

• Franceschi S.

  デルフト工大

• Elzerman J.

  デルフト工大

• Wiel W.

  デルフト工大

• Kouwenhoven L.

  デルフト工大

• 本多 隆

  NTT基礎研究所

• 樽茶 清吾

  科技団創造:東大理:ntt物性基礎研

• 山口 健作

  東大理

• Kouwenhoven Leo

  デルフト工科大学

• Austing D.G.

  NTT基研

• 都倉 康弘

  NTT基研

• 樽茶 清悟

  東大理、NTT基礎研

• Kouwenhoven Leo

  Erato:デルフト工科大

• Kouwenhoven Leo

  デルフト工科大

• 樽茶 清悟

  東大理物理

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著作論文

• 21aHV-7 横結合直列縦型二重量子ドットにおけるパウリスピンブロッケード特性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aXG-6 軌道縮退を持つ弱結合2重量子ドットにおける奇数電子スピンブロッケイド(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXG-5 ドット間の結合が制御できる直列結合縦型ダブルドットの電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20aYF-5 結合3重量子ドットにおける2電子・3電子状熊の励起スペクトル(20aYF 量子ドット・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHV-1 直列3重ドットの電気伝導特性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aWH-8 軌道縮退をもつ弱結合2重量子ドットにおけるスピンブロッケイド現象(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aTH-10 横結合縦型3重量子ドットの電気伝導特性(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTA-4 3重量子ドットのStability diagram(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18aYJ-9 弱閉じ込め量子ドットの少数電子状態
• 14pYB-12 人工分子の分子相に対する傾斜磁場効果(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
• 18pYJ-5 半導体人工分子の電子状態と横磁場効果
• 27pTB-4 半導体人工分子の磁場による少数電子の状態遷移
• 25pSA-1 半導体人工分子の磁場による状態遷移
• 25pK-1 縦型半導体量子ドットにおける近藤効果
• 26pD-1 微小半導体リング構造のトンネル特性
• 5a-N-4 半導体人工原子の励起状態の単一電子トンネルスペクトロスコピー
• 25pK-2 縦型2重量子ドットにおけるドット間トンネルのスピンブロッケード
• 26pD-3 弱結合縦型二重ドットの電気伝導II
• 31p-A-2 弱結合縦型二重ドットの電気伝導
• 27p-YG-8 縦型2重ドットにおけるトンネル電流の抑制
• 27pHD-5 2重量子ドットにおける3電子スピンブロッケイド現象(27pHD 若手奨励賞・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pTM-9 2重量子ドットにおける3電子スピンブロッケイド現象と核スピン効果(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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