23pTM-9 2重量子ドットにおける3電子スピンブロッケイド現象と核スピン効果(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2011-08-24

著者

• 天羽 真一

  ICORP-JST

• 樽茶 清悟

  東大物理工

• 河野 公俊

  理研

• 大野 圭司

  理研

• 泉田 渉

  東北大理

• 高橋 諒

  理研

• Austing David

  NTT基礎研

• 高橋 諒

  東工大理工:理研

• Tarucha Seigo

  Department Of Applied Physics The University Of Tokyo

• Austing David

  Ntt物性科学基礎研

• Austing D.

  Nrc

• 天羽 真一

  理研

• Austing D.

  NRC-Canada

• 河野 公俊

  理研:東工大理

• 高橋 諒

  理研:東工大理

• 大野 圭司

  東京大学理学系研究科

• 大野 圭司

  東大理:

関連論文

• 22pHX-5 回転超流動中の二次元正イオン系のプラズマ共鳴測定 : 回転超流動内における二次元イオン系の移動度測定III(22pHX 若手・渦・低次元系・液面電子,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 21pHW-6 高電圧を印加した近接量子ポイントコンタクトによる量子ドットのスピンに依存したクーロンピークの変化(21pHW 量子ドット・グラフェン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pWF-7 軌道縮退のマルチゲート操作による近藤効果の変調(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHV-8 GaAs/AlGaAs(311)Aヘテロ構造二次元正孔系における量子ポイントコンタクト/量子ドット構造の作成と評価(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXG-9 微小磁石集積量子ドット電子双極子スピン共鳴におけるオーバーハウザー場の緩和測定セットアップ(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pHX-13 ヘリウム液面電子研究のための、低エネルギー電子源の試作(23pHX 量子固体液体・低温技術,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 21aHV-10 零磁場スピン蓄積の超微細相互作用による検出(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHV-9 並列結合2重量子ドットを含むAharonov-Bohm干渉計における位相緩和(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHV-7 横結合直列縦型二重量子ドットにおけるパウリスピンブロッケード特性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aXG-7 3つの電極と結合した2重量子ドットにおける電子輸送(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXG-6 軌道縮退を持つ弱結合2重量子ドットにおける奇数電子スピンブロッケイド(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXG-5 ドット間の結合が制御できる直列結合縦型ダブルドットの電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXG-8 微小磁石を用いた電子スピン共鳴におけるスピン緩和(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXD-10 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 30pTX-13 微小磁石集積型EDSR量子ドットサンプルに見られる核スピンの動的分極効果(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30pTX-7 自己形成InAsドットを含む4ゲート縦型構造に形成された多重量子ドットの電気伝導特性(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aVE-8 量子ドット電荷検出計と結合した並列結合2重量子ドットにおける量子干渉効果(28aVE 量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pTX-3 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-6 二次元正孔系のスピン共鳴(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-8 並列結合2重ドットにおけるAharonov-Bohm効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYF-5 結合3重量子ドットにおける2電子・3電子状熊の励起スペクトル(20aYF 量子ドット・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pHW-7 3重量子ドット系の近藤効果 : 3角形配列の歪の影響II(20pHW 量子ドット理論,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHV-1 直列3重ドットの電気伝導特性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXG-11 縦型二重量子ドットにおける電子スピン-核スピン結合ダイナミクス(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aHV-5 半導体2重量子ドットにおける単一円偏光の検出実験(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pWH-6 1.3μm帯光伝導測定によるg因子の見積もり(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26pWH-8 高周波印加時の並列結合ダブルドットの特性(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aWH-8 軌道縮退をもつ弱結合2重量子ドットにおけるスピンブロッケイド現象(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24pWH-3 変分法による3重量子ドットの輸送特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aTH-10 横結合縦型3重量子ドットの電気伝導特性(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTA-4 3重量子ドットのStability diagram(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTA-8 縦型二重量子ドットにおける交換エネルギー(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18aYJ-9 弱閉じ込め量子ドットの少数電子状態
• 30pTX-9 スピン閉塞状態での過渡現象(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHV-11 縦型二重量子ドットを用いた核スピン双方向分極制御とパルスNMR(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTA-13 直列二重ドットにおけるコヒーレント伝導(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTA-12 少数電子並列結合ダブルドットにおける結合及び反結合軌道の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 29pXB-6 少数電子ダブルドットの交換結合のゲート電圧及び磁場依存性(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pXB-3 軌道対称性の操作によるD-D,S-Tの近藤効果の変調(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aWF-7 少数電子ダブルドットのトンネル及び交換結合(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 14pYB-12 人工分子の分子相に対する傾斜磁場効果(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
• 31aZP-5 2 次元電子量子ホール系における電子スピン共鳴と核スピンポンピング
• 29aYH-6 人工原子における高スピン状態の近藤効果
• 18pYJ-5 半導体人工分子の電子状態と横磁場効果
• 18aYJ-6 縦型円形量子ドットにおける準位交差と近藤効果
• 27pTB-4 半導体人工分子の磁場による少数電子の状態遷移
• 25pSA-1 半導体人工分子の磁場による状態遷移
• 24pYM-8 CuV_2S_4の光電子分光
• 31a-H-12 スクッテルダイト型化合物SmRu_4P_12の光電子分光
• 21aHV-3 自己形成InAs量子ドットの軌道縮退点における軌道反交差のサイドゲート依存性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aWQ-2 Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure
• 24aWQ-3 PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24pRA-5 2層グラフェンPN接合における電気伝導(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pWQ-12 量子ドットを用いた単一光子検出を同定するための数値的アルゴリズム(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24pWQ-10 微小磁石を配置した量子ドット2量子ビットのスワップ演算(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24pWQ-6 横型3重量子ドットにおける電荷検出信号の定量評価(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 23aXA-1 非断熱状態変化を用いた量子干渉計(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24aWQ-9 InAs量子ドットジョセフソン接合におけるスピン一重項・三重項近藤効果における電気伝導(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24pWQ-11 磁場を自己補償できる微小磁石型量子ドットEDSRサンプルの開発と実践(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24pWQ-9 縦型二重量子ドットにおける核スピン分極の高速電圧制御(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24pYT-3 電子相関による量子ドットのスピンブロッケード(量子ドット・量子細線・局在,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 28aHD-1 Si/SiGe量子ドットにおけるショットキーゲート電極に対する考察(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pHD-5 軌道縮退アンダーソン模型の電荷搖動の完全係数統計への影響(28pHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aHD-2 不均一磁場を利用した2スピンキュービットとスピンエンタングル状態(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pHD-7 1重項スピンブロッケードと核スピンエンタングルメント(27pHD 若手奨励賞・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pTA-6 3層グラフェンの電気伝導とバンド構造(27pTA 領域7シンポジウム:グラフェン物性の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aHD-3 高速スピン回転操作のための大きな磁場差をもつ二重量子ドットデバイス(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pHD-10 自己形成InAs量子ドットにおけるg-テンソルの電気的制御(27pHD 若手奨励賞・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pHD-5 2重量子ドットにおける3電子スピンブロッケイド現象(27pHD 若手奨励賞・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pHD-4 直列2重および3重ドットのパウリブロッケードに対する理論解析(27pHD 若手奨励賞・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aHD-11 InAsナノワイヤを用いた単一モード中の超伝導電流(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pTM-9 2重量子ドットにおける3電子スピンブロッケイド現象と核スピン効果(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pTM-8 直列多重ドットで誘起される電子スピン状態とスピンブロッケード(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 表面弾性波を用いた単一電子移送 : 飛行電子の量子光学実験に向けて
• 26pCE-10 1重項スピンブロッケードと核スピンエンタングルメント2(26pCE 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pBJ-5 直列2重量子ドットにおける波動関数mappingとLO phonon効果(24pBJ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pCE-3 表面弾性波を用いた離れた量子ドット間の単一電子移送(27pCE 若手奨励賞・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pBJ-7 Hund則を有する量子ドット系の近藤効果による低バイアス非平衡電流II(24pBJ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pSB-3 グラフェンに対する歪み印加方法の検討と歪み効果の解析(24pSB 領域7,領域4合同 グラフェン(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 量子ドットを使った単一光生成電子の制御とスピン検出
• 24pBJ-6 結合量子細線・ABリング複合系を用いた量子ドットにおける電子の伝達位相の測定(24pBJ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pFB-7 縦型2重量子ドットにおける電子スピン共鳴と核スピン効果(20pFB 量子ドット・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pFB-6 共鳴トンネル電流に対するスピン一重項電流閉塞の効果(20pFB 量子ドット・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pFH-3 グラフェン、ナノ細線における電気伝導の電界制御(19pFH 領域7,領域3,領域4 合同シンポジウム 主題:デバイス物理の新展開-電界効果の物質科学-,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 19pFH-3 グラフェン、ナノ細線における電気伝導の電界制御(19pFH 領域7,領域3,領域4 合同シンポジウム 主題:デバイス物理の新展開-電界効果の物質科学-New direction in device physics,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aEC-10 グラフェンにおける一様な一軸性歪みの導入方法とその移動度に関する影響(20aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(電子相関・輸送特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aFB-8 電子ポンプによる非平衡単一電子輸送(21aFB 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pEA-1 「揺らぎ」の検出・理解・制御への挑戦 : 量子力学・統計力学・メゾ系の話題 はじめに(19pEA 領域4,領域1,領域11合同シンポジウム:「揺らぎ」の検出・理解・制御への挑戦 : 量子力学・統計力学・メゾ系の話題,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 固体量子情報の長距離移送と量子電子光学実験への挑戦
• 19pEA-1 はじめに(19pEA 領域4,領域1,領域11合同シンポジウム,主題:〜「揺らぎ」の検出・理解・制御への挑戦〜量子力学・統計力学・メゾ系の話題,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aXQ-2 トップゲートを備えたSi/SiGe量子ポイントコンタクトにおける電荷雑音の評価(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pXQ-2 並列二重量子ドットジョセフソン接合における非局所トンネル過程の検出(29pXQ 量子ドット・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXG-3 表面弾性波による単一電子輸送(27pXG 領域4,領域3,領域5,領域7,領域10合同シンポジウム:フォノンの理解・制御によるエレクトロニクスの新展開Novel phononic electronics in solid state devices,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXQ-7 スピンブロッケイドの電流閉塞状態の遷移と電流の2値的振る舞い(28pXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXQ-1 縦型二重量子ドットにおける双方向核スピン偏極とその競合ダイナミクス(28pXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXP-3 一軸性歪みを導入した一層グラフェンの電気伝導の研究(28pXP 領域4,領域7合同 グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aXQ-7 g-因子制御GaAs系量子井戸に作成した横型量子ドットにおける単一光子応答(26aXQ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aXQ-8 多電子領域における量子ドットの伝達位相測定(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pDD-8 同位体制御したSiを用いたSi/SiGeにおけるダブルドット(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aDD-4 表面弾性波を用いた単一電子のコヒーレント制御(量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク