27pDD-8 同位体制御したSiを用いたSi/SiGeにおけるダブルドット(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2013-08-26

著者

• 樽茶 清悟

  東大工

• 樽茶 清悟

  東大物理工

• 小田 俊理

  東工大量子ナノエレ研セ

• 小寺 哲夫

  東大理

• 樽茶 清悟

  Ntt物基礎研:東大

• Tarucha Seigo

  Department Of Applied Physics The University Of Tokyo

• 小幡 利顕

  東大工

• 武田 健太

  東大工

• 樽茶 清吾

  日本電信電話公社武蔵野通研

• Abstreiter G.

  Walter Schottky Institut Technische Universitat Munchen

• 小幡 利顕

  ICORP-JST:東大工

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノエレ研セ

• 神岡 純

  東工大量子ナノ研セ

• アクタ ワシーム

  東大工

• Kierig J.

  Regensburg大

• Wild A.

  Walter Schottky inst.

• Sailer J.

  東大工

• Bougeard D.

  Regensburg大

• Bougeard D.

  Regensburg大:Walter Schottky inst.

• 樽茶 清悟

  NTT電気通信研究所

• Abstreiter G.

  Walter Schottky inst.

• 樽茶 清悟

  NTT物性基礎研:東大理:ERATO Mesoscopic Correlation Project

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• 20aPS-7 ABリングに埋め込まれた量子ドット系の熱電特性(20aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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