武田 健太 | 東大工

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概要

• 同名の論文著者
• 東大工の論文著者

関連著者

• 樽茶 清悟

  東大工

• 小田 俊理

  東工大量子ナノエレ研セ

• 小寺 哲夫

  東大理

• 小幡 利顕

  東大工

• 武田 健太

  東大工

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノエレ研セ

• Tarucha Seigo

  Department Of Applied Physics The University Of Tokyo

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研セ:東大ナノ量子機構:さきがけ-JST

• 小幡 利顕

  ICORP-JST:東大工

• 樽茶 清悟

  東大物理工

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研

• 福岡 佑二

  東工大量子ナノエレ研セ

• 吉田 勝治

  ICORP-JST

• 小田 俊理

  東工大工

• 小田 俊理

  東工大量子ナノ研:sorst-jst

• 小田 俊理

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• ODA Shunri

  Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology

• 小寺 哲夫

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• Oda S

  Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn

• Oda Shunri

  Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology

• Oda Shunri

  The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology

• 吉田 勝治

  東大工

• 小田 俊理

  東京工業大学総合理工学研究科

• 澤野 憲太郎

  東京都市大

• 白木 靖寛

  都市大総研

• 澤野 憲太郎

  都市大総研

• 大塚 朋廣

  東大工

• 白木 靖寛

  東京都市大学工学部

• 樽茶 清悟

  Icorp-jst:東大工

• 樽茶 清悟

  Ntt物基礎研:東大

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研:東大ナノ量子機構

• 樽茶 清吾

  日本電信電話公社武蔵野通研

• Sailer Juergen

  東大工

• 神岡 純

  東工大量子ナノ研セ

• アクタ ワシーム

  東大工

• 樽茶 清悟

  NTT電気通信研究所

• 樽茶 清悟

  NTT物性基礎研:東大理:ERATO Mesoscopic Correlation Project

• 申 潤錫

  ICORP-JST

• ブルナー ロランド

  ICORP-JST

• 申 潤錫

  ポハン大理工

• ブルナ ロランド

  レオベン大

• Abstreiter G.

  Walter Schottky Institut Technische Universitat Munchen

• Bougeard Dominique

  Walter Schottky Institut, Technische Universitat Munchen

• Bougeard Dominique

  Walter Schottky Institut Technische Universitat Munchen:institut Fur Experimentelle And Angewandte P

• 澤野 憲太郎

  東京都市大学

• 樽茶 清悟

  東京大学大学院工学系研究科

• Abstreiter Gerhard

  Universitat Regensburg

• Wild Andreas

  Technische Universitat Munchen

• Bougeard Dominique

  Technische Universitat Munchen

• 白木 靖寛

  東京都市大

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研セ

• Kierig J.

  Regensburg大

• Wild A.

  Walter Schottky inst.

• Sailer J.

  東大工

• Bougeard D.

  Regensburg大

• Bougeard D.

  Regensburg大:Walter Schottky inst.

• Abstreiter G.

  Walter Schottky inst.

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著作論文

• 24aWQ-2 Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure
• 24aWQ-3 PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 28aHD-1 Si/SiGe量子ドットにおけるショットキーゲート電極に対する考察(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aTR-2 Si/SiGe 2重量子ドットにおける高周波応答について(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aXQ-2 トップゲートを備えたSi/SiGe量子ポイントコンタクトにおける電荷雑音の評価(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29aXQ-3 ノンドープSi/SiGeウェハーを用いた横型ドット開発(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pDD-8 同位体制御したSiを用いたSi/SiGeにおけるダブルドット(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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