大塚 朋廣 | 東大工
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概要
関連著者
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大塚 朋廣
東大工
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樽茶 清悟
東大工
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小幡 利顕
東大工
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小幡 利顕
ICORP-JST:東大工
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勝本 信吾
東大物性研
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家 泰弘
東大物性研
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大塚 朋廣
東大物性研
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米田 淳
東大工
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家泰 弘
東大物性研:crest Jst
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高倉 樹
東大工
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家 泰弘
物性研
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Tarucha Seigo
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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家 泰弘
物理系学術誌刊行協会
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樽茶 清悟
東大物理工
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阿部 英介
東大物性研
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勝本 信吾
東大物性研:東大ナノ量子機構
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吉田 勝治
東大工
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吉田 勝治
ICORP-JST
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小田 俊理
東工大量子ナノエレ研セ
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研
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小田 俊理
東工大工
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小田 俊理
東工大量子ナノ研:sorst-jst
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小田 俊理
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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ODA Shunri
Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology
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小寺 哲夫
東大理
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白木 靖寛
都市大総研
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澤野 憲太郎
都市大総研
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小寺 哲夫
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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Oda S
Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn
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Oda Shunri
Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology
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Oda Shunri
The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology
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武田 健太
東大工
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福岡 佑二
東工大量子ナノエレ研セ
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Katsumoto Shingo
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo:crest Science And Technology Corporation
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小田 俊理
東京工業大学総合理工学研究科
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研セ:東大ナノ量子機構:さきがけ-JST
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白木 靖寛
東京都市大学工学部
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小寺 哲夫
東工大量子ナノエレ研セ
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澤野 憲太郎
東京都市大
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樽茶 清悟
Icorp-jst:東大工
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研:東大ナノ量子機構
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中島 峻
東大工
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申 潤錫
ICORP-JST
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ブルナー ロランド
ICORP-JST
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勝本 信吾
東京大学物性研究所
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Aharony Amnon
東大物性研:テルアビブ大物理
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申 潤錫
ポハン大理工
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ブルナ ロランド
レオベン大
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Entin-wohlman Ora
東大物性研:テルアビブ大物理
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Khym G.L.
Chonnam Nat'l Univ.
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Kang Kicheon
Chonnam Nat'l Univ.
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Khym G.l.
Chonnam Nat'l Univ.
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Kang Kicheon
Chonnam Nat'l Univ.
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桑原 優樹
東大物性研
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金 善宇
東大物性研
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金 善宇
東京大学物性研究所
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杉原 裕規
東大工
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野入 亮人
東大工
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野入 亮人
東大物工
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中島 峻
東大工:理研CEMS
著作論文
- 26aXG-11 横結合型量子ドットを用いた量子ホール状態の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 30pTX-6 横結合型量子ドットを用いたスピン偏極の検出(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-4 横結合型量子ドットにおける励起状態の観測(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aWQ-2 Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure
- 24aWQ-3 PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 29pXB-1 2端子ABリングでの位相固定の破れについて(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTH-8 横結合型量子ドットにおけるクーロン相互作用(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pRC-12 近藤効果の非局所制御(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29pXB-2 横結合型量子ドットを持つ量子細線の伝導特性(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aHD-1 Si/SiGe量子ドットにおけるショットキーゲート電極に対する考察(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aHD-3 高速スピン回転操作のための大きな磁場差をもつ二重量子ドットデバイス(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pHD-2 横結合型量子ドットによる量子ドットのエネルギー準位スペクトル測定(28pHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTR-6 隣接量子ドット間ゼーマンエネルギー差の微小磁石設計による制御(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pCE-8 大きなZeeman磁場差を有する二重量子ドットでの電子スピン共鳴実験(26pCE 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pCE-7 シングルリード量子ドット中の2電子状態を用いたスピン偏極検出(26pCE 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXQ-4 単一電子スピン高速ラビ振動の時間分解測定(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXQ-11 トンネル結合制御可能な横型4重量子ドット(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pDD-9 単一電子スピン量子ビットの位相ゲート(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))