小寺 哲夫 | 東工大量子ナノ研
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概要
関連著者
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小田 俊理
東工大量子ナノエレ研セ
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研
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小寺 哲夫
東大理
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研セ:東大ナノ量子機構:さきがけ-JST
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小寺 哲夫
東工大量子ナノエレ研セ
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小田 俊理
東工大工
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小田 俊理
東工大量子ナノ研:sorst-jst
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小田 俊理
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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ODA Shunri
Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology
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小寺 哲夫
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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Oda S
Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn
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Oda Shunri
Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology
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Oda Shunri
The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology
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小田 俊理
東京工業大学総合理工学研究科
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樽茶 清悟
東大工
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Tarucha Seigo
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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小幡 利顕
東大工
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武田 健太
東大工
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福岡 佑二
東工大量子ナノエレ研セ
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小幡 利顕
ICORP-JST:東大工
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吉田 勝治
ICORP-JST
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樽茶 清悟
東大物理工
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吉田 勝治
東大工
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白木 靖寛
都市大総研
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研:東大ナノ量子機構
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澤野 憲太郎
都市大総研
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荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所
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大塚 朋廣
東大工
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白木 靖寛
東京都市大学工学部
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澤野 憲太郎
東京都市大
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山端 元音
東工大量子ナノ研
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荒川 泰彦
東大ナノ量子機構:東大生産研
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樽茶 清悟
Icorp-jst:東大工
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山端 元音
東京工業大学電子物理工学専攻
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Oda S
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
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Oda Shunri
Research Center For Quantum Effect Electronics And Department Of Physical Electronics Tokyo Institut
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Sailer Juergen
東大工
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堀部 浩介
東工大量子ナノ研セ
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蒲原 知宏
東工大量子ナノ研セ
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内田 建
東工大院理工
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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申 潤錫
ICORP-JST
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ブルナー ロランド
ICORP-JST
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Ferrus Thierry
日立ケンブリッジ研
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中岡 俊裕
東大ナノ量子機構
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Williams David
日立ケンブリッジ研
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荒川 泰彦
東大ナノ量子機構
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樽茶 清悟
Ntt物基礎研:東大
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荒川 泰彦
東大生研
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内田 建
東京工業大学
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内田 建
東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構
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荒川 泰彦
1995 1996年度エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌編集委員会
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申 潤錫
ポハン大理工
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ブルナ ロランド
レオベン大
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樽茶 清吾
日本電信電話公社武蔵野通研
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Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
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Bougeard Dominique
Walter Schottky Institut, Technische Universitat Munchen
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Bougeard Dominique
Walter Schottky Institut Technische Universitat Munchen:institut Fur Experimentelle And Angewandte P
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Williams D.
ブリッジ研
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林 文城
東工大量子ナノ研セ
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Ferrus T.
ブリッジ研
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Rossi A.
ブリッジ研
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小田 俊理
東工大量子ナノ研セ
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樽茶 清悟
東京大学大学院工学系研究科
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Abstreiter Gerhard
Universitat Regensburg
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Wild Andreas
Technische Universitat Munchen
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Bougeard Dominique
Technische Universitat Munchen
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樽茶 清悟
NTT電気通信研究所
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樽茶 清悟
NTT物性基礎研:東大理:ERATO Mesoscopic Correlation Project
著作論文
- 26aXG-4 シリコン結合量子ドットの電子輸送特性評価(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aWQ-2 Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure
- 24aWQ-3 PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 28aHD-1 Si/SiGe量子ドットにおけるショットキーゲート電極に対する考察(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aTR-2 Si/SiGe 2重量子ドットにおける高周波応答について(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTM-12 シリコン量子ドットにおけるスピン効果と磁場依存性(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aBJ-9 シリコン量子ドットを用いた電荷検出(24aBJ 微小接合・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXQ-2 トップゲートを備えたSi/SiGe量子ポイントコンタクトにおける電荷雑音の評価(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))