樽茶 清悟 | Ntt物基礎研:東大
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概要
関連著者
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樽茶 清悟
Ntt物基礎研:東大
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樽茶 清悟
東大物理工
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Tarucha Seigo
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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樽茶 清吾
日本電信電話公社武蔵野通研
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樽茶 清悟
NTT電気通信研究所
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樽茶 清悟
NTT物性基礎研:東大理:ERATO Mesoscopic Correlation Project
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樽茶 清悟
東京大学大学院工学系研究科
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樽茶 清悟
東大工
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樽茶 清悟
NTT基礎研
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山本 倫久
東大工
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高田 真太郎
東京大学大学院工学系研究科
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高田 真太郎
東大工
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藤澤 利正
NTT物性基礎研
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藤澤 利正
東工大極低温セ
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塩谷 広樹
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻量子相研究センター
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藤沢 利正
Ntt 基礎研
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塩谷 広樹
東大工
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大岩 顕
東大工
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渡辺 健太
帯広畜産大学畜産学部応用獣医学講座
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Sailer Juergen
東大工
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本多 隆
NTT基礎研究所
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Craciun Monica
Exeter大
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渡辺 健太
東大工
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Bauerle C.
Inst. Nee.:Univ. Joesph Fourier
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Deacon Russell
理研
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山本 倫久
東京大学大学院工学系研究科
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小田 俊理
東工大量子ナノエレ研セ
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山本 倫久
東大工:erato-jst
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小寺 哲夫
東大理
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樽茶 清悟
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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山本 倫久
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻量子相研究センター
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高垣 雪彦
パウル・ドルーデ固体電子研
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小幡 利顕
東大工
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武田 健太
東大工
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Wieck A.
Ruhr-Univ. Bochum
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藤澤 利正
NTT基礎研究所
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Oosterkamp T.H.
デルフト工大
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Broer B.W.
デルフト工大
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Aguado R.
デルフト工大
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B.W Broer
デルフト工大
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R Aguado
デルフト工大
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L.P Kouwenhoven
デルフト工大
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高垣 雪彦
NTT基礎研
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Yamamoto Michihisa
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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Saverio Russo
Exeter大
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小幡 利顕
ICORP-JST:東大工
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Hermelin S.
仏ニール研究所
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Saminadayar L.
仏ニール研究所
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Bauerle C.
仏ニール研究所
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Meunier T.
仏ニール研究所
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塩谷 広樹
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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小寺 哲夫
東工大量子ナノエレ研セ
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阪野 塁
東大工
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天羽 真一
ICORP-JST
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都倉 康弘
NTT物性基礎研
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平川 一彦
東大生研
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河野 公俊
理研
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大野 圭司
理研
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研
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藤田 高史
東大工
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小栗 章
大阪市大理
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西川 裕規
大阪市大理
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柴田 憲治
東大生研
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樽茶 清悟
NTT物性基礎研
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山本 倫久
東大物工
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Austing David
NTT基礎研
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椿 光太郎
NTT基礎研究所
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Austing D.g
Ntt基礎研究所
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David Guy
Ntt基礎研究所
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近藤 裕佑
東北大通研
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椿 光太郎
東洋大学工学部
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田村 浩之
NTT LSI研究所
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大岩 顕
東大工:icorp-jst:jst-crest
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福岡 佑二
東工大量子ナノエレ研セ
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Bauerle C.
Inst. Neel
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都倉 康弘
Icorp:ntt物性基礎研
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Wiel W.G.vander
デルフト工大
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Kouwenhoven L.R.
デルフト工大
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W.G van
デルフト工大
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Austing David
Ntt基礎研究所
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椿 光太郎
Ntt基礎研
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Abstreiter G.
Walter Schottky Institut Technische Universitat Munchen
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天羽 真一
理研
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Russo Saverio
Exeter大
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寺岡 総一郎
東大工
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森本 和浩
東大工
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柴田 憲治
東京大学生産技術研究所
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渡辺 健太
東工大
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樽茶 清悟
東京大学大学院物理工学専攻
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都倉 康弘
ICORP-JST:NTT物性基礎研
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研セ:東大ナノ量子機構:さきがけ-JST
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塩谷 広樹
東京大学大学院物理工学専攻
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Hewson Alex
インペリアルカレッジ
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大岩 顕
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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大野 圭司
東京大学理学系研究科
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高田 真太郎
東工大
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山本 倫久
東工大
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Wieck A.
独ボーフム大
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山本 倫久
東京大学大学院物理工学専攻
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樽茶 清悟
東大工:理研
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Wieck Andreas
独ボーフム大
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樽茶 清悟
理研:東大物理工
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山本 倫久
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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Abstreiter Gerhard
Universitat Regensburg
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Wild Andreas
Technische Universitat Munchen
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Bougeard Dominique
Technische Universitat Munchen
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久保 敏弘
筑波大理
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都倉 康弘
筑波大理
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黒澤 元
理研
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近藤 裕佑
理研
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Wieck Andreas
Ruhr-Universitat Bochum
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Allison Giles
Princeton University
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Ludwig Arne
Ruhr-Universitat Bochum
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Craciun Monica
Exeter大学
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Wieck A.
独ルール大ボーフム
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神岡 純
東工大量子ナノ研セ
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アクタ ワシーム
東大工
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Kierig J.
Regensburg大
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Wild A.
Walter Schottky inst.
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Sailer J.
東大工
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Bougeard D.
Regensburg大
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Bougeard D.
Regensburg大:Walter Schottky inst.
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中村 隼也
東大工
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Wieck A.D.
Ruhr-Univ. Bochum
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樽茶 清悟
理研CEMS
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樽茶 清悟
理研:東大工
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大野 圭司
東大理:
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Abstreiter G.
Walter Schottky inst.
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馬場 翔二
東大工
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久保 敏弘
学習院大理
著作論文
- 極微細構造半導体の電子輸送
- 量子波素子 (技術革新を担う材料技術-下-)
- 異方的量子ドットにおけるAddition Spectra
- 29p-M-11 非鳴形単電子トランジスタの量子効果と負性微分抵抗
- 31a-ZB-4 二重量子ドットにおけるボゾン環境効果
- 31a-ZB-4 二重量子ドットにおけるボゾン環境効果
- 半導体人工分子 (「量子輸送現象における新展開」特集号) -- (5.量子ドット)
- 半導体ナノ構造の量子輸送 : 最近の研究動向
- 6p-N-4 量子ドット構造における単一電子トンネルと単一光子放出
- 6p-N-4 量子ドット構造における単一電子トンネルと単一光子放出
- 量子ホール領域におけるスピン分離
- 量子ホール領域におけるスピン分離
- 伝導でみた半導体人工原子のフント則
- H. Mizuta and T. Tanoue, The Physics and Applications of Resonant Tunneling Diodes, Combridge Univ. Press, Cambridge, 1995, xii+236p., 23×15cm, 8,750円 [大学院生・専門向]
- 3p-YE-3 微小縦形トンネルトランジスタの単電子トンネル効果
- 29p-J-4 半導体微細構造の量子輸送
- 表面弾性波を用いた単一電子移送 : 飛行電子の量子光学実験に向けて
- 27pCE-3 表面弾性波を用いた離れた量子ドット間の単一電子移送(27pCE 若手奨励賞・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pBJ-7 Hund則を有する量子ドット系の近藤効果による低バイアス非平衡電流II(24pBJ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pSB-3 グラフェンに対する歪み印加方法の検討と歪み効果の解析(24pSB 領域7,領域4合同 グラフェン(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 量子ドットを使った単一光生成電子の制御とスピン検出
- 24pBJ-6 結合量子細線・ABリング複合系を用いた量子ドットにおける電子の伝達位相の測定(24pBJ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pFH-3 グラフェン、ナノ細線における電気伝導の電界制御(19pFH 領域7,領域3,領域4 合同シンポジウム 主題:デバイス物理の新展開-電界効果の物質科学-,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19pFH-3 グラフェン、ナノ細線における電気伝導の電界制御(19pFH 領域7,領域3,領域4 合同シンポジウム 主題:デバイス物理の新展開-電界効果の物質科学-New direction in device physics,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aEC-10 グラフェンにおける一様な一軸性歪みの導入方法とその移動度に関する影響(20aEC 領域4,領域7合同 グラフェン(電子相関・輸送特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aFB-8 電子ポンプによる非平衡単一電子輸送(21aFB 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 固体量子情報の長距離移送と量子電子光学実験への挑戦
- 29aXQ-2 トップゲートを備えたSi/SiGe量子ポイントコンタクトにおける電荷雑音の評価(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pXQ-2 並列二重量子ドットジョセフソン接合における非局所トンネル過程の検出(29pXQ 量子ドット・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pXG-3 表面弾性波による単一電子輸送(27pXG 領域4,領域3,領域5,領域7,領域10合同シンポジウム:フォノンの理解・制御によるエレクトロニクスの新展開Novel phononic electronics in solid state devices,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXQ-7 スピンブロッケイドの電流閉塞状態の遷移と電流の2値的振る舞い(28pXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXP-3 一軸性歪みを導入した一層グラフェンの電気伝導の研究(28pXP 領域4,領域7合同 グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aXQ-7 g-因子制御GaAs系量子井戸に作成した横型量子ドットにおける単一光子応答(26aXQ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXQ-8 多電子領域における量子ドットの伝達位相測定(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pDD-8 同位体制御したSiを用いたSi/SiGeにおけるダブルドット(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aDD-4 表面弾性波を用いた単一電子のコヒーレント制御(量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))