藤沢 利正 | Ntt 基礎研
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概要
関連著者
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藤澤 利正
NTT物性基礎研
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藤澤 利正
東工大極低温セ
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藤沢 利正
Ntt 基礎研
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平山 祥郎
NTT物性基礎研
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平山 祥郎
東北大理
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都倉 康弘
NTT物性基礎研
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林 稔晶
Ntt物性基礎研
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佐々木 智
NTT物性基礎研
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宮下 宣
NTT-AT
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蟹澤 聖
NTT物性科学基礎研究所
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佐々木 智
Nit物性基礎研
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樽茶 清悟
Ntt物基礎研:東大
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佐々木 智
Ntt物性科学基礎研究所:東北大学大学院理学研究科
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佐々木 智子
NTT基礎研
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蟹澤 聖
Ntt物性基礎研
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佐々木 智
Ntt物性基礎研:東北大院理
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赤崎 達志
NTT物性基礎研
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遊佐 剛
東北大理
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平山 祥郎
東北大:sorst-jstf
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遊佐 剛
東北大学理学研究科
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熊田 倫雄
NTT物性基礎研
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早川 純一朗
東北大理
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高品 圭
NTT物性科学基礎研究所
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平山 祥郎
東北大理:erato-jst
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樽茶 清悟
NTT物性基礎研
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小林 俊之
Ntt物性基礎研
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宮下 宣
NTTアドバンステクノロジ
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樽茶 清悟
NTT基礎研
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鶴田 尚英
NTT物性基礎研
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川村 昂
東北大理
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小野満 恒二
NTT物性基礎研
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鶴田 尚英
Ntt物性基礎研:東理大理
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高品 圭
バース大物理
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藤澤 利正
NTT基礎研究所
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ペロ シモン
Ntt物性基礎研:lpn-cnrs
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田村 浩之
NTT物性基礎研
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藤原 聡
Ntt物性科学基礎研究所
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新井田 佳孝
NTT物性科学基礎研究所
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藤澤 利正
Ntt 物性科学基礎研究所
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鈴木 恭一
東北大・科研
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鈴木 恭一
Ntt基礎研究所
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Austing D.
Ntt物性基礎研
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桑野 信
東北大理
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鈴木 恭一
NTT物性基礎研
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Cheong H.
Keimyung Univ.
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新井田 佳孝
東北大理
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蟹沢 聖
NTT物性基礎研
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Oosterkamp T.H.
デルフト工大
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Broer B.W.
デルフト工大
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Aguado R.
デルフト工大
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B.W Broer
デルフト工大
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R Aguado
デルフト工大
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L.P Kouwenhoven
デルフト工大
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Jeong Y.
Keimyung Univ.:pohang Univ.
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都倉 康弘
Ntt物性科学基礎研究所
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大野 雄高
名大工
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大野 雄高
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
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畑 浩一
三重大
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平山 祥郎
東北大院理
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村木 康二
NTT物性基礎研
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小野 行徳
NTT物性科学基礎研究所
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西口 克彦
NTT物性科学基礎研究所
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西口 克彦
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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レナー バンソン
NTT物性科学基礎研究所
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平山 祥郎
Ntt物性基礎研:東北大理:sorst-jst
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平山 祥郎
Ntt基礎研
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丸山 達朗
NTT-AT
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太田 剛
NTT物性基礎研
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遊佐 剛
NTT物性基礎研
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平山 祥郎
SORST-JST
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Austing D.
NTT物性基礎研究所
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都倉 康弘
Ntt基礎研
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姜 承求
NTT物性基礎研
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畑 浩一
三重大院工
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Rossander Lea
東北大理
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鎌田 雄仁
東北大院
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大野 雄高
名大
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富田 律也
東工大院理工
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Jeong Y.
Keimyung Univ.
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Cheong H.
Pohang Univ.
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Jeong Y.
Pohang Univ.
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藤澤 利正
物性科学基礎研究所
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Austind D.
NTT物性基礎研
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姜 承求
Ntt物性基礎研:crest-jst:筑波大物質創成
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Perraud Simon
NTT物性基礎研
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ジャネ カミユ
NTT物性基礎研
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植木 峰雄
NELテクノ
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Wiel W.G.vander
デルフト工大
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Kouwenhoven L.R.
デルフト工大
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W.G van
デルフト工大
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藤澤 利正
Ntt 物性科学基礎研
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ジャネ カミユ
Ntt物性基礎研:espci
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小野 行徳
Ntt
著作論文
- カーボンナノチューブの基礎と応用
- 20aYK-8 SiO_2/(100)Si/SiO_2量子井戸に形成される二次元正孔系の磁気抵抗の閉じ込めポテンシャル依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pRC-3 SiO_2/Si/SiO_2量子井戸に閉じ込められた二次元電子系における電気抵抗の温度依存性(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pRC-3 2層系ν=2強磁性状態におけるスピンテクスチャ(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pYF-3 半導体量子ドットの近藤効果における電極のスピン蓄積効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-2 横結合2重量子ドットにおける近藤-ファノ効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aWH-9 量子ドットの近藤効果におけるスピン偏極電流注入効果(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTA-5 電子フォーカシングにより電流注入された量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 30aYA-10 横型量子ドットにおけるスピン緩和のパルス測定(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 20pYK-9 v=2/3分数量子ホール状態における核スピン偏極の光検出(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aQG-1 量子ホール状態を用いた局所的NMR(23aQG 磁気共鳴一般・実験技術開発・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pTH-5 電子スピンを介した高周波電場によるNMR(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pRC-2 抵抗検出NMRでみる核スピン間の双極子相互作用によるデコヒーレンス効果(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29pXB-8 電荷測定による二重量子ドットの計数統計(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pWF-6 二重量子ドット中のエネルギー緩和機構(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aYA-2 半導体量子ドットを用いた量子ビット(領域4シンポジウム : 固体素子における量子情報操作の可能性)(領域4)
- 22pTH-8 結合量子ドット中の電荷ダイポール回転のディコヒーレンス
- 29aYH-5 結合量子ドットにおける電荷コヒーレント振動
- 量子ドットの電気的パルス測定と単一電子ダイナミクス
- 19pYH-5 量子ドットの電荷状態とスピン状態
- 18pYJ-1 縦型量子ドットの非弾性スピン緩和
- 27pTB-5 過渡電流スペクトルによる縦型量子ドットのスピン状態とエネルギー緩和
- 25pSA-2 量子ドットの長寿命励起準位の非平衡トンネル電流
- 半導体ナノ構造の量子輸送 - 最近の研究動向 -
- 27aTE-10 表面吸着In原子を用いたInAs結晶点欠陥形成位置の低温STS測定(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pVE-13 光照射下における二次元電子系の伝導及び発光特性の研究(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- MBE成長したInAs(111)A表面における電子蓄積層の形成機構
- 2重量子ドットの電子スピン制御 (2006年のニュース総まとめ 特集:物理科学,この1年) -- (物性物理)
- 半導体量子ドットによる量子情報デバイス (特集 量子コンピュータ)
- 21aTG-1 GaSb/InAs量子井戸における2次元正孔状態密度の低温STSイメージング(量子細線,量子井戸・超格子,輸送現象,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18aTG-6 MBE成長したInAs(111)A表面におけるドナー型欠陥と二次元電子蓄積層(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTA-12 低温STSによるInAs/GaSb二重量子井戸中の局所状態密度分布の観測(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 31a-ZB-4 二重量子ドットにおけるボゾン環境効果
- 31a-ZB-4 二重量子ドットにおけるボゾン環境効果
- 半導体人工分子 (「量子輸送現象における新展開」特集号) -- (5.量子ドット)
- 6p-N-4 量子ドット構造における単一電子トンネルと単一光子放出
- 6p-N-4 量子ドット構造における単一電子トンネルと単一光子放出
- 26pTD-10 InAs(111)A表面再構成境界における電子状態定在波の低温STM観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 応用物性
- 応用物性