丸山 達朗 | NTT-AT
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概要
関連著者
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丸山 達朗
NTT-AT
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田村 浩之
NTT物性基礎研
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宮下 宣
NTT-AT
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赤崎 達志
NTT物性基礎研
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宮下 宣
NTTアドバンステクノロジ
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平山 祥郎
Ntt物性基礎研:東北大理:sorst-jst
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山口 真澄
NTT物性基礎研
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野村 晋太郎
筑波大数理物質:ntt物性基礎研
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平山 祥郎
東北大理
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野村 晋太郎
筑波大院数物
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佐々木 智
NTT物性基礎研
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佐々木 智
Nit物性基礎研
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高柳 英明
東理大:物材機構:jst-crest
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佐々木 智
Ntt物性科学基礎研究所:東北大学大学院理学研究科
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佐々木 智子
NTT基礎研
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佐々木 智
Ntt物性基礎研:東北大院理
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平山 祥郎
NTT物性基礎研
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高柳 英明
NTT物性基礎研
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野村 晋太郎
NTT物性基礎研
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佐藤 俊彦
Erato
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羽田野 剛司
ICORP-JST
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山口 智弘
Erato
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樽茶 清悟
東大工
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藤澤 利正
NTT物性基礎研
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樽茶 清悟
ERATO SORST
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小寺 哲夫
東大理
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藤澤 利正
東工大極低温セ
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羽田野 剛司
ERATO SORST
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太田 剛
NTT物性基礎研
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研:東大ナノ量子機構
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山田 和正
九大院理
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山田 和正
九大理
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樽茶 清悟
東大理
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山口 智宏
理研
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Wiel W.
東大理
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山田 和正
JST-ERATO
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佐藤 俊彦
JST-ERATO
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丸山 達朗
JST-ERATO
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太田 剛
JST-ERATO
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北川 広野
Crest-jst:東理大理
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高柳 英明
CREST-JST
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姜 承求
筑波大物質創成
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野村 晋太郎
筑波大物質創成
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丸山 達朗
NTP-AT
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宮下 宣
NTP-AT
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宮越 賢治
CREST-JST
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小野 絢哉
CREST-JST
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小寺 哲夫
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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姜 承求
Ntt物性基礎研:crest-jst:筑波大物質創成
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Wiel W.
東大理:jst-presto
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宮越 賢治
東京理科大:crest-jst
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藤沢 利正
Ntt 基礎研
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平山 祥郎
東北大理:jst-erato
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小野 絢哉
Crest-jst:筑波大物質創成
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研セ:東大ナノ量子機構:さきがけ-JST
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羽田野 剛司
ERATO
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樽茶 清悟
ERATO
著作論文
- 18pYJ-7 少数電子を含むダブルドットの電気伝導特性
- 30aYA-8 縦型横結合直列ドットのスタビリティダイアグラムとスピン効果(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- 20pYF-2 横結合2重量子ドットにおける近藤-ファノ効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pTA-6 独立コンタクトを有する2重量子ドット-量子細線結合系の電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pWF-8 2重量子ドット-量子細線結合系におけるファノ-近藤効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pVE-12 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYK-5 二次元電子系発光ピーク分裂エネルギーの電子密度依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pTG-7 低電子密度領域二次元電子系発光による電子・正孔有効質量の増大の検出(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTG-8 非ドープGaAs量子井戸の中性励起子と荷電励起子(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pTA-1 非ドープGaAs量子井戸におけるキャパシタンスと荷電励起子発光の対応(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aYC-7 表面ゲートによって形成される量子ドット列における発光測定(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))