18pYJ-7 少数電子を含むダブルドットの電気伝導特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2001-09-03
著者
-
羽田野 剛司
ICORP-JST
-
山口 智弘
Erato
-
樽茶 清悟
東大工
-
樽茶 清悟
ERATO SORST
-
佐藤 俊彦
Erato
-
羽田野 剛司
ERATO SORST
-
丸山 達朗
NTT-AT
-
山口 智宏
理研
-
羽田野 剛司
ERATO
-
樽茶 清悟
ERATO
関連論文
- 21pHW-6 高電圧を印加した近接量子ポイントコンタクトによる量子ドットのスピンに依存したクーロンピークの変化(21pHW 量子ドット・グラフェン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pWF-7 軌道縮退のマルチゲート操作による近藤効果の変調(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHV-8 GaAs/AlGaAs(311)Aヘテロ構造二次元正孔系における量子ポイントコンタクト/量子ドット構造の作成と評価(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXG-9 微小磁石集積量子ドット電子双極子スピン共鳴におけるオーバーハウザー場の緩和測定セットアップ(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aHV-10 零磁場スピン蓄積の超微細相互作用による検出(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHV-9 並列結合2重量子ドットを含むAharonov-Bohm干渉計における位相緩和(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHV-7 横結合直列縦型二重量子ドットにおけるパウリスピンブロッケード特性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aXG-7 3つの電極と結合した2重量子ドットにおける電子輸送(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aXG-6 軌道縮退を持つ弱結合2重量子ドットにおける奇数電子スピンブロッケイド(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aXG-5 ドット間の結合が制御できる直列結合縦型ダブルドットの電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXG-8 微小磁石を用いた電子スピン共鳴におけるスピン緩和(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXD-10 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 30pTX-13 微小磁石集積型EDSR量子ドットサンプルに見られる核スピンの動的分極効果(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pTX-7 自己形成InAsドットを含む4ゲート縦型構造に形成された多重量子ドットの電気伝導特性(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aVE-8 量子ドット電荷検出計と結合した並列結合2重量子ドットにおける量子干渉効果(28aVE 量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pTX-3 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYF-4 並列結合2重量子ドット系における近藤効果(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-6 二次元正孔系のスピン共鳴(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-12 微小磁石を集積した量子ドットにおける選択的ラビ振動(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-8 並列結合2重ドットにおけるAharonov-Bohm効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYF-5 結合3重量子ドットにおける2電子・3電子状熊の励起スペクトル(20aYF 量子ドット・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXG-5 3スピン量子ビットの実装に向けた横型3重量子ドットの作製と評価(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pHW-7 3重量子ドット系の近藤効果 : 3角形配列の歪の影響II(20pHW 量子ドット理論,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aHV-1 直列3重ドットの電気伝導特性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXG-11 縦型二重量子ドットにおける電子スピン-核スピン結合ダイナミクス(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXG-10 超微細相互作用を利用した縦型二重量子ドット中の核スピン双方向分極制御(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aHV-5 半導体2重量子ドットにおける単一円偏光の検出実験(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aTE-5 Sm_Sr_xMnO_3薄膜の絶縁体-金属相転移における熱処理の効果
- 27a-J-8 K_3C単結晶の超伝導上部臨界磁場
- 26pWH-6 1.3μm帯光伝導測定によるg因子の見積もり(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26pWH-8 高周波印加時の並列結合ダブルドットの特性(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aWH-8 軌道縮退をもつ弱結合2重量子ドットにおけるスピンブロッケイド現象(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24pWH-3 変分法による3重量子ドットの輸送特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aTH-10 横結合縦型3重量子ドットの電気伝導特性(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aTA-4 3重量子ドットのStability diagram(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aTA-8 縦型二重量子ドットにおける交換エネルギー(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 単一および結合量子ドットの電子状態制御
- 25aZC-7 縦型ダブルドットにおけるトンネル結合及び交換結合の制御(コヒーレント伝導,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 14pYB-13 半導体人工原子の磁場中における少数電子スピン状態(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
- 14pYB-11 横結合縦型量子ドットによる Charge Read Out(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
- 18pYJ-7 少数電子を含むダブルドットの電気伝導特性
- 29pZP-8 熱CVD法により成長したサスペンデッドカーボンナノチューブの低温伝導特性(ナノチューブ(伝導特性・磁性))(領域7)
- 23aXF-5 電極上に熱 CVD 成長したカーボンナノチューブの低温伝導特性
- 22pTH-5 2 次元電子ガスと横に結合した縦型ドットの輸送特性 II
- 22pTH-4 並列結合縦型ダブルドットの輸送特性
- 29aYH-7 2 次元電子ガスと横に結合した縦型ドットの輸送特性
- 18aYJ-9 弱閉じ込め量子ドットの少数電子状態
- 18aYJ-8 磁性半導体GaMnAs縦型量子ドットの電気伝導特性
- 22aR-5 (TMTSF)_2AsF_6のスピン密度波相におけるしきい電場の温度-圧力-磁場依存性
- 22aR-2 (TMTSF)_2(AsF_6)_(FeCl_4)_xのスピン密度波相における非線型伝導
- 24aE-8 (TMTSF)_2(AsF_6)_(FeCl_4)_xのスピン密度波相における磁気抵抗
- 28a-XB-11 (TMTSF)_2AsF_6のSDW相における磁性不純物のスピン状態
- 26a-N-1 磁性不純物をドープした(TMTSF)_2AsF_6の磁化率
- 31a-YP-4 (TMTSF)_2AsF_6のSDW相における磁場中比熱II
- 5a-C-10 SDW low temperature state of(TMTSF)_2AsF_6:thermopower investigation and magnetic field influence
- 5a-C-9 (TMTSF)_2AsF_6のSDW相における磁場中比熱
- 28p-C-3 (TMTSF)_2AsF_6のSDW相における磁場中電気伝導
- 28p-C-2 (TMTSF)_2AsF_6における比熱と磁化率
- 31a-D-4 (TMTSF)_2XのSDW多相と電気伝導II
- 30pTX-9 スピン閉塞状態での過渡現象(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aYH-11 一組の自己形成 InAs 二重結合量子ドットにおける殻構造の観測
- 21aHV-11 縦型二重量子ドットを用いた核スピン双方向分極制御とパルスNMR(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pTX-15 異なるg因子を持つ縦型二重量子ドットにおける核スピン効果とNMR応答(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-13 互いに異なるg因子を持った二重量子ドットにおけるスピンブロッケードと核スピン効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pWH-7 縦型量子ドットにおける光生成キャリアの電気的検出(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aWH-6 異なるg因子をもつ2重量子ドットにおけるスピン依存共鳴トンネル(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aRA-10 Grapheneの磁場中STS観測(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aTA-13 直列二重ドットにおけるコヒーレント伝導(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aTA-12 少数電子並列結合ダブルドットにおける結合及び反結合軌道の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29pXB-6 少数電子ダブルドットの交換結合のゲート電圧及び磁場依存性(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pXB-3 軌道対称性の操作によるD-D,S-Tの近藤効果の変調(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aWF-7 少数電子ダブルドットのトンネル及び交換結合(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 14pYB-12 人工分子の分子相に対する傾斜磁場効果(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
- 19aTA-7 縦型2重量子ドットにおける間接励起子の電気的検出(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25aXG-8 量子ドット複合系の近藤効果による熱起電力(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aHV-3 自己形成InAs量子ドットの軌道縮退点における軌道反交差のサイドゲート依存性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aXG-11 自己形成InAs量子ドット/超伝導接合系における超伝導特性のサイドゲート制御(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22pYK-8 ナノスケール強磁性電極を有する電子フォーカシング素子における不均一磁場効果の観測(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pZC-12 量子ドットにおける核四重極相互作用とコヒーレント制御(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 14pYB-9 半導体縦型二重量子ドットにおける二重ゲートによる電子状態の制御(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
- 30pTX-5 InAs単一自己形成量子ドットにおけるスピン軌道相互作用の定量的評価とその制御(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-6 自己形成InAs量子ドット/超伝導接合系における超伝導電流の観測(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-5 InAs単一自己形成量子ドットにおけるスピン軌道相互作用の定量的評価(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aWQ-2 Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure
- 24aWQ-3 PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24pRA-5 2層グラフェンPN接合における電気伝導(24pRA 領域7,領域4合同 グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTH-3 一組の自己形成 InAs 強結合量子ドットの電子輸送特性
- 28a-YK-11 単結晶にドープしたK_3C_の超伝導上部臨界磁場
- 19pWF-5 縦型横結合量子ドットにおける電荷検出(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30aXB-1 並列結合2重ドット系における電子輸送(30aXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pXB-4 縦横型量子ドットの幾何学的効果と準安定状態(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pWF-9 二つの量子ドットを介したAB効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30a-K-9 (TMTSF)_2PF_6のSDW多相と電気伝導
- 25pRP-1 はじめに(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 25pRP-1 はじめに(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25aHG-8 二層量子井戸構造における核スピン拡散(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pTR-8 ν=2/3量子ホール効果を用いた二層量子井戸間の核スピン拡散(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pBJ-5 直列2重量子ドットにおける波動関数mappingとLO phonon効果(24pBJ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pXP-4 少数電子を含むダブルドットの結合特性(24pXP 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 25aXP-11 磁性半導体GaMnAs二重障壁構造におけるトンネル磁気抵抗・スピンバルブ効果のバイアス依存性(25aXP 領域4,領域5合同磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))