24pTR-8 ν=2/3量子ホール効果を用いた二層量子井戸間の核スピン拡散(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2011-08-24

著者

• 羽田野 剛司

  ICORP-JST

• 秋葉 圭一郎

  東京工業大学大学院理工学研究科

• 長瀬 勝美

  ERATO-NSEP

• 平山 祥郎

  Ntt物性基礎研:東北大理:sorst-jst

• 渡辺 信嗣

  Jst-erato

• 渡邊 信嗣

  CREST-JST

• 平山 祥郎

  JST-ERAT

• 平山 祥郎

  東北大理:jst-erato

• 久米 航

  東北大理

• 羽田野 剛司

  JST-ERATO

• 秋葉 圭一郎

  JST-ERATO

• 長瀬 勝美

  JST-ERATO

• 渡辺 信嗣

  金沢大理工

関連論文

• 19pWF-7 軌道縮退のマルチゲート操作による近藤効果の変調(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHV-8 GaAs/AlGaAs(311)Aヘテロ構造二次元正孔系における量子ポイントコンタクト/量子ドット構造の作成と評価(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pGS-4 電気二重層トランジスタによるInPのキャリア数制御(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 非古典光の冷却原子集団への保存と再生(最近の研究から)
• 21aHV-7 横結合直列縦型二重量子ドットにおけるパウリスピンブロッケード特性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aXG-6 軌道縮退を持つ弱結合2重量子ドットにおける奇数電子スピンブロッケイド(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXG-5 ドット間の結合が制御できる直列結合縦型ダブルドットの電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXD-10 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 30pTX-7 自己形成InAsドットを含む4ゲート縦型構造に形成された多重量子ドットの電気伝導特性(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aVE-8 量子ドット電荷検出計と結合した並列結合2重量子ドットにおける量子干渉効果(28aVE 量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pTX-3 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYK-6 二次元正孔系のスピン共鳴(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pYF-8 並列結合2重ドットにおけるAharonov-Bohm効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYF-5 結合3重量子ドットにおける2電子・3電子状熊の励起スペクトル(20aYF 量子ドット・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aSA-4 周波数縮退真空スクイーズド状態による電磁誘起透明化の観察II(30aSA 量子エレクトロニクス(量子光学),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 20aWA-7 周波数縮退真空スクイーズド状態による電磁誘起透明化の観察(量子エレクトロニクス,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 14pTF-3 電磁誘起透明化を用いた真空スクイーズド状態の超低速度伝播の実現 II(量子エレクトロニクス : 量子光学, 領域 1)
• 29pXG-16 電磁誘起透明化を用いた真空スクイーズド状態の超低速度伝搬の実現(量子エレクトロニクス(量子光学))(領域1)
• 25pQD-16 電磁誘起透明化を用いた条件付き単一光子状態の保存と再生(量子エレクトロニクス(量子縮退気体(実験),原子の冷却・トラップ),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 26aQD-5 電磁誘起透明化を用いた真空スクイーズド光の保存・再生II(量子エレクトロニクス(原子の冷却・トラップ,イオントラップ),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 22pRH-6 時間領域ホモダイン測定による真空スクイーズド状態の電磁誘起透明化の観測(量子エレクトロニクス(若手奨励賞記念講演,量子干渉),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 21aHW-10 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 非古典光の冷却原子集団への保存と再生
• 25pXL-14 GaAs/AlGaAs二次元電子系におけるピエゾ電圧効果(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aXB-1 量子ホール系における歪効果と電子系によるエネルギー散逸(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aHV-1 直列3重ドットの電気伝導特性(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pRH-11 電磁誘起透明化を用いた真空スクイーズド光の保存・再生(量子エレクトロニクス(若手奨励賞記念講演,量子干渉),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 23pRH-4 量子メモリに向けたパラメトリック蛍光の評価(量子エレクトロニクス(量子光学),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 23pRH-5 電磁誘起透明化を用いたパラメトリック蛍光の保存と再生(量子エレクトロニクス(量子光学),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 21aXK-10 電磁誘起透明化を用いたパラメトリック蛍光のモード選択的な保存と再生(量子エレクトロニクス(量子光学),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 21aXK-9 単一光子状態の保存再生に向けたパラメトリック蛍光の周波数狭窄化(量子エレクトロニクス(量子光学),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 21pWA-15 対称集団励起とスピン自由度とを利用した量子テレポーテーションの提案(量子エレクトロニクス(量子光学),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 20aWA-9 原子線幅以下までのパラメトリック蛍光の周波数狭窄化(量子エレクトロニクス,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 14pTF-9 原子アンサンブルを用いた条件付き単一光子の遅延の実現(量子エレクトロニクス : 量子光学, 領域 1)
• 29pXG-17 原子スピンコヒーレンスを用いた光子間における非古典的相関の操作(量子エレクトロニクス(量子光学))(領域1)
• 21pTF-10 導波路型 PPLN 素子を用いたスクイーズド光の発生
• 21pTF-9 Rb ガスセルを用いたスクイーズド光の発生
• 26pWH-8 高周波印加時の並列結合ダブルドットの特性(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aWH-8 軌道縮退をもつ弱結合2重量子ドットにおけるスピンブロッケイド現象(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aTH-10 横結合縦型3重量子ドットの電気伝導特性(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21aTA-4 3重量子ドットのStability diagram(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 単一および結合量子ドットの電子状態制御
• 25aZC-7 縦型ダブルドットにおけるトンネル結合及び交換結合の制御(コヒーレント伝導,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 14pYB-13 半導体人工原子の磁場中における少数電子スピン状態(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
• 14pYB-11 横結合縦型量子ドットによる Charge Read Out(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
• 18pYJ-7 少数電子を含むダブルドットの電気伝導特性
• 26aXD-2 ν=1^-における円偏光発光スペクトル(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22pTH-5 2 次元電子ガスと横に結合した縦型ドットの輸送特性 II
• 22pTH-4 並列結合縦型ダブルドットの輸送特性
• 29aYH-7 2 次元電子ガスと横に結合した縦型ドットの輸送特性
• 29aYH-11 一組の自己形成 InAs 二重結合量子ドットにおける殻構造の観測
• 21aTA-12 少数電子並列結合ダブルドットにおける結合及び反結合軌道の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 29pXB-6 少数電子ダブルドットの交換結合のゲート電圧及び磁場依存性(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pXB-3 軌道対称性の操作によるD-D,S-Tの近藤効果の変調(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aWF-7 少数電子ダブルドットのトンネル及び交換結合(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pTA-6 独立コンタクトを有する2重量子ドット-量子細線結合系の電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19pWF-8 2重量子ドット-量子細線結合系におけるファノ-近藤効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aYA-10 横型量子ドットにおけるスピン緩和のパルス測定(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
• 5a-J-10 ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音
• 27pVE-12 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYK-5 二次元電子系発光ピーク分裂エネルギーの電子密度依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pTG-7 低電子密度領域二次元電子系発光による電子・正孔有効質量の増大の検出(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTG-8 非ドープGaAs量子井戸の中性励起子と荷電励起子(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pTA-1 非ドープGaAs量子井戸におけるキャパシタンスと荷電励起子発光の対応(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19aYC-7 表面ゲートによって形成される量子ドット列における発光測定(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pYG-8 InAs/GaSbヘテロ構造の量子ホール効果 : 2DEGのQHEとネットキャリアのQHEの交錯(量子ホール効果)(領域4)
• 29pYF-6 InAs/AlGaSbピエゾ抵抗カンチレバーにおける量子効果(半導体スピン物性)(領域4)
• 22pTH-3 一組の自己形成 InAs 強結合量子ドットの電子輸送特性
• 19aRC-3 空間分解局所光励起下でのGaAs/AlGaAs単一ヘテロ構造の伝導測定(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aXA-8 抵抗検出NMRによるν=1/3でのスピン反転励起の観測(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24aXA-1 光ファイバーを用いた量子ホール系の強磁場、極低温におけるKerr回転スペクトルの測定(24aXA 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 27aXB-11 バックゲート付き量子井戸における極低電子密度領域での電子有效質量(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pWF-5 縦型横結合量子ドットにおける電荷検出(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aWQ-7 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性II(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 30aXB-1 並列結合2重ドット系における電子輸送(30aXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pXB-4 縦横型量子ドットの幾何学的効果と準安定状態(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pWF-9 二つの量子ドットを介したAB効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pTL-6 InAs/AlGaSb ピエゾ抵抗カンチレバーにおける量子干渉効果
• 31aZP-6 InAs/GaSb ヘテロ構造の量子ホール効果 : 斜め磁場の効果
• InAs/GaSb系ヘテロ構造の電子-正孔相関
• 25pRP-1 はじめに(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25pRP-1 はじめに(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 25pRB-8 多重パルス照射によるゆらぎスペクトルの決定法(25pRB 量子エレクトロニクス(固体量子情報処理),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25pRB-7 核スピン制御による固体中の低周波ゆらぎスペクトルの直接観察(25pRB 量子エレクトロニクス(固体量子情報処理),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25pHG-5 高次ランダウレベルの電子状態観察(25pHG 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aHG-8 二層量子井戸構造における核スピン拡散(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aHG-5 占有率2/3スピン相転移ピークを用いた光学的核スピン偏極の抵抗検出(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aHG-6 量子ホール領域における熱偏極した核スピン偏極率の充填率依存性(25aHG 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aPS-84 光励起電子スピンによる核スピン操作(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pHD-8 分数量子ホール領域の発光の微細構造(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aTM-10 分数量子ホール領域の発光の微細構造(2)(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pTR-10 光学的核スピン偏極での照射光条件の抵抗検出を用いた評価(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pTR-9 抵抗検出された光学的核スピン偏極の占有率依存性(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pTR-8 ν=2/3量子ホール効果を用いた二層量子井戸間の核スピン拡散(24pTR 量子ホール効果(分数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pCJ-3 空間分布をもつ光学的核スピン偏極によるv=2/3スピン相転移ピークの変化(27pCJ 量子ホール効果(分数量子ホール効果・核スピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24pBJ-5 直列2重量子ドットにおける波動関数mappingとLO phonon効果(24pBJ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pPSA-9 整数量子ホール効果を用いた光学的核スピン偏極の抵抗検出(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aFB-5 二重量子井戸構造における核スピンの拡散と緩和(19aFB 量子ホール効果(分数量子ホール効果・核スピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXQ-4 量子ホール系における光学的核スピン偏極のメカニズム(27pXQ 分数量子ホール効果・核スピン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXQ-2 二重量子井戸構造における電流誘起核スピン偏極及び核スピン拡散による縦抵抗の変化(27pXQ 分数量子ホール効果・核スピン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク